2025-06-27
Pbn, o nitruro di boro pirolitico, appartiene al sistema esagonale ed è un materiale non metallico inorganico avanzato con una purezza fino al 99,999%. Ha una buona densità, nessun pori, un buon isolamento e conducibilità termica, resistenza ad alta temperatura, inerzia chimica, resistenza all'acido, resistenza alcalino e resistenza all'ossidazione. Ha un'evidente anisotropia nelle proprietà meccaniche, termiche ed elettriche. È un componente di crogiolo e chiave ideale nella crescita del cristallo a semiconduttore (metodo VGF, metodo VB, metodo LEC, metodo HB), sintesi policristallina, MBE epitassia, evaporazione OLED, apparecchiature a semiconduttore di fascia alta, tubi a microonde ad alta potenza, ecc. In condizioni di alte temperature e alte condizioni sotto vuoto, nella camera di reazione CVD vengono introdotti alogenuri di boro e ammoniaca e altre materie prime ad alta purezza. Dopo la reazione di cracking, cresce lentamente sulla superficie di substrati come la grafite. La PBN può essere coltivata direttamente in contenitori come crogioli, barche e tubi, oppure può prima essere depositato in piastre e quindi elaborate in varie parti PBN. Può anche essere rivestito su altri substrati per la protezione e le specifiche del prodotto sono personalizzate in base agli scenari di applicazione. A differenza del normale nitruro di boro sinterizzato a caldo, PBN viene preparato utilizzando la deposizione di vapore chimica avanzata (CVD), che ha forti barriere tecniche e un alto grado di concentrazione del settore.
I prodotti PBN svolgono un ruolo insostituibile nel campo dei semiconduttori. Le applicazioni a valle comportano principalmente la crescita cristallina, la sintesi policristallina, l'epitassia del fascio molecolare (MBE), l'OLED, la deposizione di vapore chimico organico (MOCVD), parti di apparecchiature a semiconduttore di fascia alta, aerospaziale e altri campi.
1) Cressione di cristalli
La crescita dei singoli cristalli a semiconduttore composto (come arsenide di gallio, fosfuro di indio, ecc.) Richiede un ambiente estremamente rigoroso, tra cui temperatura, purezza delle materie prime e purezza e inerzia chimica del contenitore di crescita. Pbn Crucible è attualmente il contenitore più ideale per la crescita a cristallo singolo a semiconduttore composto. I metodi principali per la crescita a cristallo singolo a semiconduttore composto sono il metodo LEC, il metodo HB, il metodo VB e il metodo VGF. I corrispondenti crogioli PBN includono LEC Crucible, VB Crucible e VGF Crucible.
2) Epitassia del raggio molecolare (MBE)
L'MBE è uno dei più importanti processi di crescita epitassiale dei semiconduttori II-V e II-VI nel mondo oggi. Questo tipo di tecnologia è un metodo per la crescita di film sottili strato per strato lungo l'asse di cristallo del materiale del substrato in substrati appropriati e condizioni adeguate. PBN Crucible è un contenitore forno di origine necessario nel processo MBE.
3) Display a diodo a emissione di luce organica (OLED)
L'OLED è considerato una nuova generazione di tecnologia di visualizzazione di pannelli piatti a causa delle sue eccellenti caratteristiche come auto-luminescenza, non è necessario retroilluminazione, elevato contrasto, spessore sottile, angolo di visualizzazione ampio, velocità di reazione rapida, può essere utilizzata per pannelli flessibili, ampio intervallo di temperatura di funzionamento, struttura semplice e processo. L'evaporatore è il componente principale del sistema di evaporazione OLED. Tra questi, l'anello guida PBN e il crogiolo sono i componenti principali dell'unità di evaporazione. L'anello guida deve avere una buona conducibilità termica e le prestazioni dell'isolamento, può essere elaborato in forme complesse e non deforma o rilascia gas ad alte temperature. Il crogiolo deve avere purezza ultra-alta, resistenza ad alta temperatura, isolamento elettrico e nessuna bagnatura con il materiale di origine. PBN è un materiale ideale per un uso diffuso.
4) Attrezzatura a semiconduttore di fascia alta
Man mano che i chip a semiconduttore continuano a svilupparsi verso la miniaturizzazione e l'alta potenza, i requisiti per le attrezzature e i sistemi di produzione di semiconduttori stanno diventando sempre più elevati. I prodotti di materiale PBN sono ampiamente utilizzati nei componenti principali delle apparecchiature di fascia alta a causa della loro purezza altissima, ad alta conducibilità termica, isolamento elettrico, resistenza alla corrosione, resistenza all'ossidazione e varie anisotropia delle prestazioni.
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