Suscettore Epi in silicio monocristallino

Il suscettore Epi in silicio monocristallino è un componente essenziale progettato per i processi di epitassia Si-GaN, che può essere personalizzato in base a specifiche e preferenze personalizzate, fornendo una soluzione su misura che si allinea perfettamente con requisiti specifici. Che si tratti di modifiche dimensionali o aggiustamenti dello spessore del rivestimento, possediamo la capacità di progettare e fornire un prodotto che soddisfi diversi parametri di processo, ottimizzando così le prestazioni per applicazioni mirate. L’impegno di Semicorex per una qualità leader di mercato, unito a considerazioni fiscali competitive, consolida il nostro desiderio di stabilire partnership per soddisfare i vostri requisiti di trasporto di wafer semiconduttori.

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Descrizione del prodotto

I suscettori nel processo di crescita epitassiale richiedono la capacità di resistere a temperature elevate e sopportare rigorose procedure di pulizia chimica. Il suscettore Epi in silicio monocristallino è stato meticolosamente progettato per soddisfare in modo specifico queste rigorose esigenze incontrate nelle applicazioni di apparecchiature per epitassia.

Questi suscettori vantano una struttura composta da grafite rivestita in carburo di silicio (SiC) di elevata purezza, che conferisce una resistenza senza pari al calore, garantendo una distribuzione termica uniforme per uno spessore e una resistenza costanti dello strato epitassia.

Inoltre, il suscettore Epi in silicio monocristallino mostra una notevole durata contro i detergenti chimici aggressivi. L'utilizzo del sottile rivestimento in cristallo SiC contribuisce ulteriormente a ottenere una superficie liscia e incontaminata, che è di fondamentale importanza per una manipolazione efficace, poiché i wafer intatti entrano in contatto con il suscettore in numerosi punti su tutta la loro superficie.

L'utilizzo del suscettore Epi in silicio monocristallino garantisce affidabilità incrollabile e durata prolungata, mitigando la necessità di frequenti sostituzioni e successivamente minimizzando sia i tempi di inattività che le spese di manutenzione. La sua struttura robusta e le eccezionali capacità operative contribuiscono in modo significativo ad aumentare l'efficienza del processo, rafforzando in definitiva la produttività e l'economicità nel campo delle operazioni di produzione di semiconduttori.