Suscettore in wafer di silicio monocristallino

Il susceptor per wafer di silicio monocristallino Semicorex è la soluzione ideale per i processi di epitassia della grafite e di gestione dei wafer. Il nostro prodotto ultrapuro garantisce una contaminazione minima e prestazioni eccezionali di lunga durata, rendendolo una scelta popolare in molti mercati europei e americani. In qualità di fornitore leader di supporti per wafer semiconduttori in Cina, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine.

Invia richiesta

Descrizione del prodotto

Il nostro suscettore epitassiale in silicio monocristallino è un prodotto in grafite rivestito con SiC di elevata purezza, che presenta un'elevata resistenza al calore e alla corrosione. Il supporto rivestito in carburo di silicio CVD viene utilizzato nei processi che formano lo strato epitassiale sui wafer semiconduttori. Ha un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, essenziali per processi di produzione di semiconduttori efficienti e precisi.
Una delle caratteristiche principali del nostro suscettore in wafer di silicio monocristallino è la sua eccellente densità. Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura. Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata, essenziale per mantenere una produzione di wafer di alta qualità.
Un'altra importante caratteristica del nostro prodotto è la sua capacità di ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio. Ciò migliora efficacemente la forza di adesione, prevenendo fessurazioni e delaminazione. Inoltre, sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, garantendo che il calore venga distribuito uniformemente durante il processo di produzione.
Il nostro suscettore in wafer di silicio monocristallino è anche resistente all'ossidazione e alla corrosione ad alta temperatura, rendendolo un prodotto affidabile e durevole. Il suo elevato punto di fusione garantisce che possa resistere all'ambiente ad alta temperatura richiesto per un'efficiente produzione di semiconduttori.
In conclusione, il Susceptor per wafer di silicio monocristallino Semicorex è una soluzione ultra pura, durevole e affidabile per i processi di epitassia della grafite e di gestione dei wafer. La sua eccellente densità, planarità superficiale e conduttività termica lo rendono ideale per l'uso in ambienti corrosivi e ad alta temperatura. Siamo orgogliosi di fornire prodotti di alta qualità a prezzi competitivi e non vediamo l'ora di collaborare con voi per tutte le vostre esigenze di trasportatori di wafer semiconduttori.

Parametri del suscettore del wafer di silicio monocristallino

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore del wafer di silicio monocristallino

- Evitare il distacco e garantire il rivestimento su tutta la superficie
Resistenza all'ossidazione alle alte temperature: Stabile alle alte temperature fino a 1600°C
Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica di vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.
Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare
- Garantire l'uniformità del profilo termico
- Evitare qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità