Suscettore di wafer di silicio monocristallino

Semicorex Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor è la soluzione ideale per l'epitassia di grafite e i processi di manipolazione dei wafer. Il nostro prodotto ultra-puro garantisce una contaminazione minima e prestazioni di lunga durata eccezionali, rendendolo una scelta popolare in molti mercati europei e americani. In qualità di fornitore leader di supporti per wafer semiconduttori in Cina, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine.

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Descrizione del prodotto

Il nostro suscettore epitassiale in silicio monocristallino è un prodotto di grafite rivestito con SiC di elevata purezza, che ha un'elevata resistenza al calore e alla corrosione. Il supporto rivestito in carburo di silicio CVD viene utilizzato nei processi che formano lo strato epitassiale sui wafer semiconduttori. Ha un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, essenziali per processi di produzione di semiconduttori efficienti e precisi.
Una delle caratteristiche principali del nostro suscettore di wafer di silicio monocristallino è la sua eccellente densità. Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi. Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata, essenziale per mantenere una produzione di wafer di alta qualità.
Un'altra caratteristica importante del nostro prodotto è la sua capacità di ridurre la differenza di coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio. Ciò migliora efficacemente la forza di adesione, prevenendo fessurazioni e delaminazione. Inoltre, sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conducibilità termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, assicurando che il calore sia distribuito uniformemente durante il processo di produzione.
Il nostro suscettore di wafer di silicio monocristallino è anche resistente all'ossidazione e alla corrosione ad alta temperatura, rendendolo un prodotto affidabile e durevole. Il suo alto punto di fusione assicura che possa resistere all'ambiente ad alta temperatura richiesto per un'efficiente produzione di semiconduttori.
In conclusione, Semicorex Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor è una soluzione ultra pura, duratura e affidabile per l'epitassia di grafite e i processi di manipolazione dei wafer. La sua eccellente densità, planarità superficiale e conduttività termica lo rendono ideale per l'uso in ambienti corrosivi e ad alta temperatura. Siamo orgogliosi di fornire prodotti di alta qualità a prezzi competitivi e non vediamo l'ora di collaborare con voi per tutte le vostre esigenze di supporto per wafer semiconduttori.

Parametri del suscettore di wafer di silicio monocristallino

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore di wafer di silicio monocristallino

- Evitare di staccarsi e garantire il rivestimento su tutta la superficie
Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura: Stabile ad alte temperature fino a 1600°C
Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica da vapore CVD in condizioni di clorurazione ad alta temperatura.
Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.
Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare
- Garantire l'uniformità del profilo termico
- Prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità