Suscettore epitassiale in silicio monocristallino

Perfetto per l'epitassia di grafite e il processo di manipolazione dei wafer, il suscettore epitassiale in silicio monocristallino ultra puro Semicorex garantisce una contaminazione minima e offre prestazioni di durata eccezionalmente lunghe. I nostri prodotti hanno un buon vantaggio di prezzo e coprono molti dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

Il suscettore epitassiale in silicio monocristallino Semicorex è un prodotto di grafite rivestito con SiC altamente purificato, che ha un'elevata resistenza al calore e alla corrosione. Il supporto rivestito in carburo di silicio CVD utilizzato nei processi che formano lo strato epitassiale su wafer semiconduttori, che ha un'elevata conducibilità termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.
Il nostro suscettore epitassiale in silicio monocristallino è progettato per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Questo aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip del wafer.
Contattaci oggi per saperne di più sul nostro suscettore epitassiale in silicio monocristallino.

Parametri del suscettore epitassiale di silicio monocristallino

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore epitassiale in silicio monocristallino

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.
- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.
- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.
- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.
- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.