Suscettore epitassiale in silicio monocristallino

Perfetto per l'epitassia della grafite e il processo di manipolazione dei wafer, il suscettore epitassiale in silicio monocristallino ultrapuro Semicorex garantisce una contaminazione minima e fornisce prestazioni di durata eccezionalmente lunga. I nostri prodotti hanno un buon vantaggio di prezzo e coprono molti mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

Il suscettore epitassiale in silicio monocristallino Semicorex è un prodotto in grafite rivestito con SiC altamente purificato, che presenta un'elevata resistenza al calore e alla corrosione. Il supporto rivestito in carburo di silicio CVD utilizzato nei processi che formano lo strato epitassiale su wafer semiconduttori, che ha un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.
Il nostro suscettore epitassiale in silicio monocristallino è progettato per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Ciò aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip wafer.
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Parametri del suscettore epitassiale in silicio monocristallino

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore epitassiale in silicio monocristallino

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.
- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.
- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.
- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.
- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.