Piastra Si epitassiale monocristallina

la piastra Si epitassiale monocristallina racchiude lo zenit di raffinatezza, durata e affidabilità per applicazioni relative all'epitassia della grafite e alla manipolazione dei wafer. Si distingue per la sua densità, planarità e capacità di gestione termica, posizionandolo come la scelta ottimale per condizioni operative rigorose. L’impegno di Semicorex per una qualità leader di mercato, unito a considerazioni fiscali competitive, consolida il nostro desiderio di stabilire partnership per soddisfare i vostri requisiti di trasporto di wafer semiconduttori.

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Descrizione del prodotto

Un attributo fondamentale della piastra Si epitassiale monocristallina risiede nella sua densità superiore. L'integrazione di un substrato di grafite con un rivestimento di carburo di silicio produce una densità completa adatta a proteggere dalle condizioni rigorose incontrate in ambienti corrosivi e ad alta temperatura. Inoltre, il suscettore rivestito in carburo di silicio, progettato su misura per la sintesi di cristalli singoli, vanta un profilo superficiale eccezionalmente uniforme, un fattore determinante per la produzione continua di wafer di qualità impeccabile.

Altrettanto fondamentale per la progettazione del nostro prodotto è la mitigazione delle discrepanze di espansione termica tra il nucleo in grafite e il rivestimento in carburo di silicio. Tale innovazione aumenta notevolmente la robustezza adesiva, evitando così i fenomeni di fessurazioni e stratificazione. In sincronia con ciò, la piastra Si epitassiale monocristallina mostra un'elevata conduttività termica, abbinata a una lodevole propensione all'allocazione uniforme del calore, fattori che sono determinanti per raggiungere l'omogeneità della temperatura durante il ciclo di produzione.

Inoltre, la piastra Si epitassiale monocristallina dimostra un'encomiabile resilienza alla degradazione ossidativa e corrosiva a temperature elevate, sottolineandone la longevità e l'affidabilità. La sua soglia di resistenza termica è sottolineata da un punto di fusione significativo, garantendo così la sua capacità di sopportare l'esigente ambiente termico intrinseco alla competente fabbricazione di semiconduttori