Suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC

Se stai cercando un suscettore in grafite ad alte prestazioni da utilizzare in applicazioni di produzione di semiconduttori, il suscettore a barilotto in grafite rivestito SiC Semicorex è la scelta ideale. Le sue eccezionali proprietà di conduttività termica e distribuzione del calore lo rendono la scelta ideale per prestazioni affidabili e costanti in ambienti corrosivi e ad alta temperatura.

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Descrizione del prodotto

Il suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC Semicorex è la scelta perfetta per applicazioni di produzione di semiconduttori che richiedono un'eccezionale distribuzione del calore e conduttività termica. Il rivestimento SiC di elevata purezza e la densità superiore forniscono proprietà di protezione e distribuzione del calore superiori, garantendo prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti più difficili.

Il nostro suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC è progettato per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Ciò aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip wafer.

Contattaci oggi per saperne di più sul nostro suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC.

Parametri del suscettore a barilotto di grafite rivestito in SiC

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.