Suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC

Se stai cercando un suscettore in grafite ad alte prestazioni da utilizzare in applicazioni di produzione di semiconduttori, il suscettore a cilindro in grafite rivestito in SiC Semicorex è la scelta ideale. Le sue eccezionali proprietà di conducibilità termica e distribuzione del calore ne fanno la scelta ideale per prestazioni affidabili e costanti in ambienti ad alta temperatura e corrosivi.

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Descrizione del prodotto

Il suscettore a cilindro in grafite rivestito in SiC Semicorex è la scelta perfetta per le applicazioni di produzione di semiconduttori che richiedono un'eccezionale distribuzione del calore e conduttività termica. Il suo rivestimento SiC ad alta purezza e la densità superiore forniscono proprietà di protezione e distribuzione del calore superiori, garantendo prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti più difficili.

Il nostro suscettore a cilindro in grafite rivestito di SiC è progettato per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Questo aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip del wafer.

Contattaci oggi per saperne di più sul nostro suscettore a barilotto in grafite rivestito di SiC.

Parametri del suscettore del barilotto di grafite rivestito di SiC

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore del barilotto in grafite rivestito di SiC

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.