Suscettori MOCVD

I suscettori Semicorex MOCVD sono costruiti appositamente per resistere agli ambienti ad alta temperatura e resistere ai rigidi regimi chimici spesso impiegati nei processi di produzione dei wafer. Attraverso l'ingegneria di precisione, questi componenti sono personalizzati per soddisfare i severi requisiti dei sistemi di reattori epitassiali. La composizione dei nostri suscettori MOCVD, con carburo di silicio (SiC) rivestito su grafite di alta qualità, non solo offre robustezza in condizioni termiche e corrosive estreme, ma garantisce anche una distribuzione uniforme del calore, fondamentale per mantenere una qualità costante nella deposizione del film epitassiale.

Inoltre, le straordinarie proprietà termiche dei nostri suscettori MOCVD consentono una gestione rapida e uniforme della temperatura durante la crescita dei semiconduttori, ottimizzando il processo di produzione. La loro resistenza alle alte temperature, all'ossidazione e alla corrosione garantisce un funzionamento affidabile anche nelle impostazioni operative più impegnative.

Inoltre, i suscettori MOCVD sono progettati con particolare attenzione all'uniformità, che è fondamentale per la sintesi di substrati monocristallini. Il livello di planarità raggiunto è indispensabile per ottenere una crescita superiore del monocristallo sulla superficie del wafer.

In Semicorex, la nostra passione nel superare i parametri di riferimento del settore è pari solo al nostro impegno per l'efficienza in termini di costi per i nostri partner. Ci impegniamo a fornire prodotti come i suscettori MOCVD che non solo soddisfano ma anticipano le esigenze in evoluzione della fabbricazione di semiconduttori, garantendo che le vostre operazioni siano dotate dei migliori strumenti disponibili.