Parte piatta per rivestimento SIC

La parte piatta del rivestimento SIC Semicorex è un componente di grafite con rivestimento SIC ad alte prestazioni appositamente progettato per il processo di epitassia SIC. La sua funzione primaria è quella di facilitare la conduzione uniforme del flusso d'aria e garantire una distribuzione costante di gas durante la fase di crescita epitassiale, rendendolo un componente indispensabile nella produzione di semiconduttori SIC. Scegliere Semicorex garantisce una qualità superiore e soluzioni ingegnerizzate su misura per il settore dei semiconduttori.

Il rivestimento SIC offre una resistenza eccezionale alle alte temperature, alla corrosione chimica e alla deformazione termica, garantendo prestazioni di lunga durata in ambienti esigenti. La base di grafite migliora l'integrità strutturale del componente, mentre il rivestimento uniforme SIC garantisce una superficie di alta purezza critica per i processi di epitassia sensibili. Questa combinazione di materiali rende la parte piatta del rivestimento SIC una soluzione affidabile per raggiungere strati epitassiali uniformi e ottimizzare l'efficienza di produzione complessiva.

L'eccellente conduttività termica e stabilità della grafite offrono vantaggi significativi come componente nelle apparecchiature epitassiali. Tuttavia, l'uso di grafite pura da sola può portare a diversi problemi. Durante il processo di produzione, i gas corrosivi e i residui di metallo-organico possono causare la corrodere e il deterioramento della base di grafite, riducendo significativamente la sua durata di servizio. Inoltre, qualsiasi polvere di grafite che cade può contaminare il chip, rendendo essenziale affrontare questi problemi durante la preparazione della base.

La tecnologia di rivestimento può mitigare efficacemente questi problemi risolvendo la polvere di superficie, migliorando la conduttività termica e bilanciando la distribuzione del calore. Questa tecnologia è fondamentale per garantire la durata della base di grafite. A seconda dell'ambiente dell'applicazione e dei requisiti di utilizzo specifici, il rivestimento superficiale dovrebbe possedere le seguenti caratteristiche:

1. Alta densità e copertura completa: la base di grafite opera in un ambiente corrosivo ad alta temperatura e deve essere completamente coperta. Il rivestimento deve essere denso per fornire una protezione efficace.

2. Buona piattalità superficiale: la base di grafite utilizzata per la crescita a singolo cristallo richiede una piattaforma di superficie molto elevata. Pertanto, il processo di rivestimento deve mantenere la planarità originale della base, garantendo che la superficie del rivestimento sia uniforme.

3. Forte resistenza al legame: per migliorare il legame tra la base di grafite e il materiale di rivestimento, è fondamentale ridurre al minimo la differenza nei coefficienti di espansione termica. Questo miglioramento garantisce che il rivestimento rimanga intatto anche dopo aver subito cicli termici ad alta e bassa temperatura.

4. Elevata conduttività termica: per una crescita ottimale del chip, la base di grafite deve fornire una distribuzione di calore rapida e uniforme. Di conseguenza, il materiale di rivestimento dovrebbe avere un'elevata conducibilità termica.

5. Elevato punto di fusione e resistenza all'ossidazione e alla corrosione: il rivestimento deve essere in grado di funzionare in modo affidabile in ambienti ad alta temperatura e corrosiva.

Concentrandosi su queste caratteristiche chiave, la longevità e le prestazioni dei componenti a base di grafite nelle apparecchiature epitassiali possono essere significativamente migliorate.

Con tecniche di produzione avanzate, Semicorex offre progetti personalizzati per soddisfare requisiti di processo specifici. La parte piatta del rivestimento SIC è rigorosamente testata per l'accuratezza e la durata dimensionale, riflettendo l'impegno delle semicorex per l'eccellenza nei materiali a semiconduttore. Utilizzato nella produzione di massa o nelle impostazioni di ricerca, questo componente garantisce un controllo preciso e un elevato rendimento nelle applicazioni di epitassia SIC.