Inizia la produzione di wafer 3C-SiC

La conducibilità termica del 3C-SiC sfuso, misurata di recente, è la seconda più alta tra i grandi cristalli su scala di pollici, classificandosi appena sotto il diamante. Il carburo di silicio (SiC) è un semiconduttore ad ampia banda proibita ampiamente utilizzato nelle applicazioni elettroniche ed esiste in varie forme cristalline note come politipi. La gestione di un flusso di calore localizzato elevato è una sfida significativa nell'elettronica di potenza, in quanto può portare al surriscaldamento del dispositivo e a problemi di prestazioni e affidabilità a lungo termine.

I materiali ad alta conducibilità termica sono fondamentali nella progettazione della gestione termica per affrontare efficacemente questa sfida. I politipi SiC più comunemente usati e studiati sono la fase esagonale (6H e 4H), mentre la fase cubica (3C) è meno esplorata, nonostante il suo potenziale per eccellenti proprietà elettroniche.

La conduttività termica misurata di 3C-SiC è stata sconcertante poiché scende al di sotto della fase 6H-SiC strutturalmente più complessa e persino inferiore al valore teoricamente previsto. In realtà, contenuto nei cristalli 3C-SiC provoca un'estrema diffusione di fononi risonanti, che abbassa significativamente la sua conduttività termica. Elevata conduttività termica grazie ai cristalli 3C-SiC di elevata purezza e alta qualità cristallina.

Sorprendentemente, i film sottili 3C-SiC cresciuti su substrati di Si presentano valori termici nel piano e nel piano incrociato recordconducibilità, superando anche film sottili diamantati di spessori equivalenti. Questo studio classifica il 3C-SiC come il secondo materiale con la più alta conduttività termica tra i cristalli in scala di pollici, secondo solo al diamante monocristallino, che vanta la più alta conduttività termica tra tutti i materiali naturali.

L'economicità, la facilità di integrazione con altri materiali e la capacità di crescere wafer di grandi dimensioni rendono 3C-SiC un materiale di gestione termica altamente adatto e un materiale elettronico eccezionale con un'elevata conducibilità termica per la produzione scalabile. La combinazione unica di proprietà termiche, elettriche e strutturali di 3C-SiC ha il potenziale per rivoluzionare la prossima generazione di elettronica, fungendo da componenti attivi o materiali di gestione termica per facilitare il raffreddamento del dispositivo e ridurre il consumo energetico. Le applicazioni che possono trarre vantaggio dall'elevata conduttività termica del 3C-SiC includono l'elettronica di potenza, l'elettronica a radiofrequenza e l'optoelettronica.

Siamo lieti di informarvi che Semicorex ha avviato la produzione diWafer 3C-SiC da 4 pollici. Se hai domande o hai bisogno di ulteriori informazioni, non esitare a contattarci.

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