Piastra ICP SiC

La piastra Semicorex SiC ICP è realizzata in carburo di silicio, noto per le sue eccezionali proprietà fisiche e chimiche. La sua natura robusta garantisce una resistenza superiore allo shock termico, all'ossidazione e alla corrosione, che sono fattori critici negli ambienti difficili della lavorazione dei semiconduttori. L'uso del materiale SiC aumenta significativamente la durata della piastra, riducendo la frequenza delle sostituzioni e diminuendo così i costi di manutenzione e i tempi di fermo degli impianti di produzione.

La piastra SiC ICP svolge un ruolo cruciale nei processi di attacco e deposizione al plasma, fondamentali per la creazione di wafer semiconduttori. Durante questi processi, l'elevata conduttività termica e stabilità della piastra SiC ICP garantiscono un controllo preciso della temperatura e una distribuzione uniforme del plasma, che è vitale per ottenere risultati di incisione e deposizione coerenti e accurati. Questa precisione è fondamentale nella produzione di dispositivi a semiconduttore sempre più miniaturizzati e complessi, dove anche deviazioni minime possono portare a notevoli problemi di prestazioni.

Una delle caratteristiche salienti della piastra SiC ICP è la sua eccezionale resistenza meccanica. La durezza e la rigidità intrinseche del carburo di silicio garantiscono un'eccellente integrità strutturale, anche in condizioni estreme. Questa robustezza si traduce in prestazioni più stabili e affidabili durante i processi al plasma ad alta intensità, riducendo al minimo il rischio di guasto dei componenti e garantendo un funzionamento continuo e ininterrotto. Inoltre, la natura leggera del materiale rispetto alle tradizionali controparti metalliche contribuisce a facilitarne la movimentazione e l'installazione, migliorando ulteriormente l'efficienza operativa.

Oltre alle sue caratteristiche fisiche, la piastra SiC ICP offre un'eccellente stabilità chimica. Presenta una notevole resistenza alle specie reattive del plasma, che sono prevalenti negli ambienti di attacco e deposizione dei semiconduttori. Questa resistenza garantisce che la piastra mantenga la propria integrità e prestazioni per periodi prolungati, anche in presenza di sostanze chimiche aggressive utilizzate nei processi al plasma. Di conseguenza, la piastra SiC ICP fornisce un ambiente di lavorazione più pulito, riducendo la probabilità di contaminazione e difetti nei wafer semiconduttori.