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Suscettore del barilotto LPE con rivestimento SiC

Suscettore del barilotto LPE con rivestimento SiC

Se stai cercando un suscettore di grafite di alta qualità rivestito con SiC di elevata purezza, il suscettore a cilindro Semicorex LPE con rivestimento SiC è la scelta perfetta. Le sue eccezionali proprietà di conducibilità termica e distribuzione del calore lo rendono ideale per l'uso in applicazioni di produzione di semiconduttori.

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Descrizione del prodotto

Il semicorex LPE Barrel Susceptor con rivestimento SiC è un prodotto di grafite di alta qualità rivestito con SiC di elevata purezza, che lo rende la scelta ideale per l'uso in ambienti ad alta temperatura e corrosivi. La sua eccellente densità e conduttività termica forniscono un'eccezionale distribuzione del calore e protezione nelle applicazioni di produzione di semiconduttori.

In Semicorex, ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro LPE Barrel Susceptor con rivestimento SiC ha un prezzo vantaggioso e viene esportato in molti mercati europei e americani. Miriamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.


Parametri del suscettore barilotto LPE con rivestimento SiC

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura di cristallo

FCC fase β

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

μm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Resistenza alla flessione

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curva 4pt, 1300℃)

430

Espansione termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche di LPE Barrel Susceptor con rivestimento SiC

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.




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