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Suscettore cilindrico con rivestimento SiC in semiconduttore

Suscettore cilindrico con rivestimento SiC in semiconduttore

Se stai cercando un suscettore in grafite di alta qualità rivestito con SiC di elevata purezza, il suscettore a barilotto Semicorex con rivestimento SiC in semiconduttore è la scelta perfetta. Le sue eccezionali proprietà di conduttività termica e distribuzione del calore lo rendono ideale per l'uso in applicazioni di produzione di semiconduttori.

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Descrizione del prodotto

Il suscettore a barilotto Semicorex con rivestimento SiC in semiconduttore è un prodotto in grafite di alta qualità rivestito con SiC di elevata purezza, che lo rende la scelta ideale per l'uso in ambienti corrosivi e ad alta temperatura. La sua eccellente densità e conduttività termica forniscono un'eccezionale distribuzione del calore e protezione nelle applicazioni di produzione di semiconduttori.
Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro suscettore cilindrico con rivestimento SiC in semiconduttore ha un vantaggio in termini di prezzo e viene esportato in molti mercati europei e americani. Puntiamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.


Parametri del suscettore a barilotto con rivestimento SiC in semiconduttore

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura cristallina

Fase β dell'FCC

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

µm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J kg-1 K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Forza flessionale

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)

430

Dilatazione Termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche del suscettore cilindrico con rivestimento SiC nel semiconduttore

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.




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