Se stai cercando un suscettore in grafite di alta qualità rivestito con SiC di elevata purezza, il suscettore a barilotto Semicorex con rivestimento SiC in semiconduttore è la scelta perfetta. Le sue eccezionali proprietà di conduttività termica e distribuzione del calore lo rendono ideale per l'uso in applicazioni di produzione di semiconduttori.
Il suscettore a barilotto Semicorex con rivestimento SiC in semiconduttore è un prodotto in grafite di alta qualità rivestito con SiC di elevata purezza, che lo rende la scelta ideale per l'uso in ambienti corrosivi e ad alta temperatura. La sua eccellente densità e conduttività termica forniscono un'eccezionale distribuzione del calore e protezione nelle applicazioni di produzione di semiconduttori.
Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro suscettore cilindrico con rivestimento SiC in semiconduttore ha un vantaggio in termini di prezzo e viene esportato in molti mercati europei e americani. Puntiamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.
Parametri del suscettore a barilotto con rivestimento SiC in semiconduttore
Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC |
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Proprietà SiC-CVD |
||
Struttura cristallina |
Fase β dell'FCC |
|
Densità |
g/cm³ |
3.21 |
Durezza |
Durezza Vickers |
2500 |
Granulometria |
µm |
2~10 |
Purezza chimica |
% |
99.99995 |
Capacità termica |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura di sublimazione |
℃ |
2700 |
Forza flessionale |
MPa (RT 4 punti) |
415 |
Modulo di Young |
Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃) |
430 |
Dilatazione Termica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conduttività termica |
(W/mK) |
300 |
Caratteristiche del suscettore cilindrico con rivestimento SiC nel semiconduttore
- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.
- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.
- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.
- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.
- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.