Substrato AIN

Conduttività termica e isolamento elettrico senza pari

Il substrato AIN di Semicorex si distingue principalmente per la sua eccezionale conduttività termica, fondamentale per la gestione del calore nei dispositivi elettronici ad alta potenza. Con conduttività termica standard pari a 175 W/m·K e opzioni per conduttività termica elevata (200 W/m·K) e ultraelevata (230 W/m·K), il substrato AIN dissipa efficacemente il calore, garantendo longevità e affidabilità dei componenti. Insieme alle sue elevate proprietà di isolamento elettrico, il substrato AIN è il materiale preferito per supporti secondari, schede a circuiti stampati (PCB) e pacchetti per componenti ad alta potenza e alta affidabilità, nonché diffusori di calore e vari circuiti elettronici.

Compatibilità con il silicio e l'espansione termica

Una delle caratteristiche più importanti del substrato AIN è il suo coefficiente di espansione termica (CTE), che varia da 4 a 6 x 10^-6/K tra 20 e 1000°C. Questo CTE è strettamente corrispondente a quello del silicio, rendendo il substrato AIN un materiale ideale per l'industria dei semiconduttori e l'imballaggio di dispositivi elettronici. Questa compatibilità riduce il rischio di stress termico e garantisce un'integrazione perfetta con componenti basati su silicio, migliorando le prestazioni e l'affidabilità complessive del dispositivo.

Personalizzazione per soddisfare diverse esigenze

Semicorex offre ampi servizi di personalizzazione per il substrato AIN, consentendo soluzioni su misura per soddisfare requisiti applicativi specifici. Che la necessità sia del tipo a molatura, del tipo a cottura istantanea, dell'elevata resistenza alla flessione, dell'elevata conduttività termica, del tipo di lucidatura o del tipo di incisione laser, Semicorex può fornire substrati ottimizzati per le caratteristiche prestazionali desiderate. Questo livello di personalizzazione garantisce che i clienti ricevano substrati che soddisfano esattamente le loro esigenze termiche, meccaniche ed elettriche.

Versatilità nella metallizzazione e nelle applicazioni elettroniche

Il substrato AIN di Semicorex è compatibile con varie tecniche di metallizzazione, tra cui rame placcato diretto (DPC), rame legato direttamente (DBC), stampa a film spesso, stampa a film sottile e brasatura attiva dei metalli (AMB). Questa versatilità lo rende adatto a un'ampia gamma di applicazioni elettroniche, dai LED ad alta potenza e circuiti integrati (IC) ai transistor bipolari a gate isolato (IGBT) e alle applicazioni con batterie. L’adattabilità del substrato a diversi metodi di metallizzazione garantisce che possa essere utilizzato efficacemente in diversi sistemi elettronici.

Funzionalità di progettazione ultrasottile

Per le applicazioni in cui lo spazio e il peso sono considerazioni critiche, Semicorex offre substrati AIN con spessori fino a 0,1 mm. Questa capacità di progettazione ultrasottile consente lo sviluppo di dispositivi elettronici compatti e leggeri senza compromettere le prestazioni o l'affidabilità. La capacità di produrre substrati così sottili amplia ulteriormente la gamma di applicazioni e migliora la flessibilità di progettazione per ingegneri e progettisti.

Alternativa sicura ed ecologica a BeO

Nell'industria dei semiconduttori, il nitruro di alluminio viene sempre più adottato come sostituto dell'ossido di berillio (BeO) a causa della sua natura non pericolosa durante la lavorazione. A differenza del BeO, che comporta rischi significativi per la salute durante la lavorazione, l'AlN è sicuro da maneggiare e lavorare, rendendolo un'alternativa più sicura e rispettosa dell'ambiente. Questo cambiamento non solo migliora la sicurezza dei lavoratori, ma si allinea anche a normative ambientali e obiettivi di sostenibilità più severi.

Elevata resistenza meccanica

La resistenza meccanica del substrato AIN è un altro vantaggio fondamentale. Con una resistenza biassiale superiore a 320 MPa, il substrato garantisce durabilità e resilienza sotto stress meccanico. Questa elevata resistenza meccanica è vitale per le applicazioni che richiedono materiali robusti e affidabili, in particolare nell'elettronica ad alta potenza e in ambienti operativi difficili. La durabilità del substrato AIN contribuisce alla longevità e all'affidabilità dei dispositivi in ​​cui viene utilizzato.

Ampio spettro di applicazioni

Le proprietà uniche del substrato AIN lo rendono adatto per un ampio spettro di applicazioni ad alta potenza e prestazioni:

LED ad alta potenza: le eccezionali capacità di gestione termica del substrato AIN garantiscono il funzionamento efficiente e la durata prolungata dei LED ad alta potenza.

Circuiti integrati (CI): l'isolamento elettrico e la conduttività termica del substrato AIN lo rendono la scelta ideale per i circuiti integrati, migliorando prestazioni e affidabilità.

Transistor bipolari a gate isolato (IGBT): la capacità del substrato di gestire carichi termici e di potenza elevata è fondamentale per il funzionamento degli IGBT in varie applicazioni di elettronica di potenza.

Applicazioni delle batterie: nelle tecnologie delle batterie, il substrato AIN fornisce un'efficace gestione termica, migliorando la sicurezza e le prestazioni.

Applicazioni piezoelettriche: la resistenza meccanica e le proprietà termiche del substrato supportano dispositivi piezoelettrici ad alta precisione.

Motori ad alta potenza: la conduttività termica e la durata del substrato AIN migliorano l'efficienza e la durata dei motori ad alta potenza.

Informatica quantistica: la precisa gestione termica e le proprietà di isolamento elettrico del substrato AIN lo rendono adatto per applicazioni avanzate di calcolo quantistico.