Mezzo luna superiore

La mezza luna superiore di Semicorex è un portatore di wafer semicircolare meticolosamente progettato per apparecchiature di elaborazione epitassiale. Come componente di suscettore critico nel processo di crescita epitassiale, questa parte è progettata per supportare e stabilizzare i wafer di silicio durante la deposizione di vapore chimico ad alta temperatura (CVD). Prodotto in grafite di alta purezza e protetta con un rivestimento uniforme in carburo di silicio (SIC), la mezza luna superiore combina robustezza meccanica, eccellente conducibilità termica e una resistenza alla corrosione eccezionale per soddisfare le esigenze dell'epitassia ad alta precisione.

Questo prodotto deriva il suo nome dalla sua distinta geometria a mezzaluna, che è appositamente costruita per piattaforme di rotazione specifiche in reattori epitassiali a wafer singolo o multi-wafer. La sua forma unica non solo facilita il flusso di gas uniforme e la distribuzione termica, ma consente anche una facile integrazione nei gruppi di riscaldamento e rotazione esistenti. Il design semicircolare garantisce un posizionamento ottimale del wafer, minimizza lo stress termico e svolge un ruolo chiave nel raggiungere lo spessore uniforme del film epitassiale su tutta la superficie del wafer.

Il prodotto a mezzaluna superiore include un substrato di grafite ultra-fine a causa dei benefici di prestazioni combinati di una struttura ultra-fini stabile a temperature estremamente elevate accoppiate alla resistenza al fallimento su corse ripetute. Per estendere l'uso, un rivestimento SIC denso ad alta purezza è stato applicato mediante tecnologia di deposizione di vapore chimico, isolando il substrato di grafite da HCL, Cl₂, silano e altri gas di processo corrosivi. Indipendentemente da ciò, il rivestimento SIC promuove una vita più durevole e più estendibile sia al prodotto a metà luna e alle parti nella sua totalità, riducendo anche la contaminazione dell'ambiente di wafer, a beneficio della resa del processo e della qualità del film.

La finitura superficiale dello strato SIC è stata specificata ed è piatta o liscia per promuovere il trasferimento di calore costante a un substrato e formazione costante di film. Inoltre, il rivestimento SIC migliora la resistenza dei componenti alla generazione di particelle che è un fattore chiave di applicazioni a semiconduttore sensibili al difetti. I parametri delle prestazioni tra cui outgassamento molto basso e una deformazione molto bassa superiore a 1200 ° C forniscono componenti efficaci per cicli di funzionamento molto lunghi, diminuzioni di tempi di inattività del sistema e costi di manutenzione.

La mezza luna superiore di Semicorex non è seconda a nessuno in relazione a tolleranze, uniformità del rivestimento e selezione del materiale. Manteniamo un rigoroso controllo di qualità in ogni fase, dalla lavorazione della grafite, alla deposizione di rivestimenti SIC e all'ispezione finale, garantendo che ogni unità soddisfi i rigorosi standard richiesti per le attrezzature per il grado a semiconduttore. Inoltre, la nostra esperienza nella personalizzazione di geometrie, spessori e trattamenti superficiali è riconosciuta per essere applicata a quasi tutte le forme di piattaforme di epitassia.

La mezza luna superiore è di fondamentale importanza per la stabilità del wafer, l'uniformità termica e il controllo della contaminazione per l'epitassia a semiconduttore di silicio o composto. Di conseguenza, Semicorex sfrutta la competenza senza pari, la tecnologia dei materiali e la coerenza manifatturiera per raggiungere le aspettative dei clienti per componenti suscettori affidabili e ad alte prestazioni.