Semicorex Silicon Injector è un componente tubolare ad altissima purezza progettato per l'erogazione di gas precisa e priva di contaminazioni nei processi di deposizione di polisilicio LPCVD. Scegli Semicorex per purezza leader del settore, lavorazione di precisione e affidabilità comprovata.*
Semicorex Silicon Injector è un componente ad altissima purezza progettato per l'erogazione precisa di gas nei sistemi di deposizione chimica in fase vapore a bassa pressione (LPCVD) per la deposizione di polisilicio e film sottile. Costruito da 9N (99,9999999%)silicio di elevata purezza, questo iniettore tubolare sottile offre pulizia, compatibilità con prodotti chimici e stabilità termica superiori in condizioni di processo estreme.
Poiché la produzione di semiconduttori continua ad evolversi verso livelli più elevati di integrazione e un controllo più rigoroso della contaminazione, anche ogni componente di erogazione del gas nella camera di deposizione dovrà soddisfare standard più elevati rispetto a prima. Il Semicorex Silicon Injector è stato sviluppato appositamente per questi tipi di requisiti: eroga materiali gassosi in modo stabile e uniforme in tutta la camera di reazione senza introdurre contaminazioni che potrebbero influire negativamente sulla qualità della pellicola o sulla resa dei wafer.
L'iniettore è prodotto in silicio monocristallino o policristallino a seconda dei requisiti del processo e il materiale è progettato per contenere poche impurità metalliche, particellari e ioniche. Ciò garantisce la compatibilità con condizioni LPCVD ultra pulite, dove anche una traccia di contaminazione può provocare un difetto nella pellicola o il guasto di un dispositivo. L'uso del silicio come materiale di base riduce anche la mancata corrispondenza del materiale tra l'iniettore e i componenti in silicio della camera, riducendo significativamente i rischi di generazione di particelle o reazioni chimiche durante l'uso e il funzionamento ad alta temperatura.
La struttura tubolare dedicata del Silicon Injector consente una distribuzione controllata ed equa del gas su un carico uniforme del wafer. Gli orifizi microingegnerizzati e la superficie interna liscia garantiscono portate riproducibili insieme alla dinamica del gas laminare che sono fondamentali per uno spessore costante del film e velocità di deposizione stabili nel forno. Che si tratti di silano (SiH₄), diclorosilano (SiH₂Cl₂) o di altri gas reattivi, l'iniettore offre prestazioni affidabili e la precisione necessarie per la crescita di una pellicola di polisilicio di buona qualità.
Grazie all'eccellente stabilità termica, il Semicorex Silicon Injector può resistere a temperature fino a 1250 °C e può essere controllato senza timore di deformazioni, crepe o deformazioni durante cicli multipli di LPCVD ad alta temperatura. Inoltre, la sua elevata resistenza all'ossidazione e l'inerzia chimica garantiscono lunghi cicli in atmosfera ossidante, riducente o corrosiva, riducendo al contempo la manutenzione e creando stabilità del processo.
Ogni iniettore è prodotto utilizzando lavorazione e lucidatura CNC all'avanguardia, ottenendo tolleranze dimensionali inferiori al micron e finiture ultra lisce sulla superficie. La finitura superficiale di alta qualità riduce al minimo la turbolenza del gas, creando pochissime o nessuna particella e garantendo allo stesso tempo caratteristiche di flusso costanti nonostante variazioni termiche e di pressione inconsistenti. La produzione di precisione garantisce processi strettamente controllati, risultati riproducibili e affidabili e quindi prestazioni costanti delle apparecchiature.
Semicorex produce iniettori di silicio su misura, disponibili in lunghezze, diametri e configurazioni di ugelli personalizzati. È possibile sviluppare soluzioni su misura per migliorare i modelli di dispersione del gas per geometrie di reattori una tantum o ricette di deposizione. Ogni iniettore viene ispezionato e verificato per quanto riguarda la purezza per fornire il massimo livello di qualità dei semiconduttoricomponenti in silicio.
Semicorex Silicon Injector fornisce la precisione e la purezza richieste nell'odierna produzione di semiconduttori. Incorporando silicio di purezza ultraelevata 9N, precisione di lavorazione a livello di micron ed elevata stabilità termica e chimica forniscono una distribuzione uniforme del gas, una minore generazione di particelle e un'eccezionale affidabilità durante la deposizione del polisilicio LPCVD.
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