Semicorex Silicon Shield Ring è un componente in silicio di elevata purezza progettato per sistemi avanzati di incisione al plasma, che funge sia da scudo protettivo che da elettrodo ausiliario. Semicorex garantisce prestazioni ultra pulite, stabilità del processo e risultati di incisione superiori con componenti semiconduttori progettati con precisione.*
L'anello di protezione in silicone Semicorex è un componente semiconduttore fondamentale nel processo di incisione. La sua funzione principale è quella di circondare l'elettrodo e prevenire un'eccessiva perdita di plasma. Con una purezza del materiale superiore a 9N (99,9999999%), l'anello di schermatura può essere realizzato sia in monocristallo che in multicristallosilicio, garantendo un funzionamento estremamente pulito e una compatibilità affidabile con i processi di produzione avanzati di semiconduttori.
Un controllo accurato del plasma nel processo di incisione CCP/ICP è essenziale per una velocità di incisione efficace e uniforme e la qualità dei wafer. Una perdita incontrollata di plasma al di fuori dell'area di attacco desiderata potrebbe creare erosione superficiale e contaminazione o danneggiare i componenti all'interno della camera. L'anello schermante in silicio è una soluzione efficace e semplice a questo problema, creato per formare una barriera protettiva sul perimetro esterno dell'elettrodo, contenendo la diffusione del plasma all'esterno dell'area target e limitando l'attacco solo all'area desiderata. L'anello schermante in silicio funge anche da elettrodo esterno per stabilizzare la distribuzione del plasma e consentire un'energia più uniforme sulla superficie del wafer.
Le proprietà termiche ed elettriche del silicio supportano ulteriormente le prestazioni dell'anello di protezione per incisione. La sua resistenza alle alte temperature di processo garantisce l'integrità strutturale durante l'esposizione prolungata al plasma e la sua conduttività elettrica consente al componente di funzionare correttamente come elemento nel sistema di elettrodi. Insieme, queste applicazioni migliorano il confinamento del plasma e migliorano l'uniformità dell'energia, consentendo profili di incisione ripetibili su tutti i wafer.
Un controllo accurato del plasma nel processo di incisione CCP/ICP è essenziale per una velocità di incisione efficace e uniforme e la qualità dei wafer. Una perdita incontrollata di plasma al di fuori dell'area di attacco desiderata potrebbe creare erosione superficiale e contaminazione o danneggiare i componenti all'interno della camera. L'anello schermante in silicio è una soluzione efficace e semplice a questo problema, creato per formare una barriera protettiva sul perimetro esterno dell'elettrodo, contenendo la diffusione del plasma all'esterno dell'area target e limitando l'attacco solo all'area desiderata. L'anello schermante in silicio funge anche da elettrodo esterno per stabilizzare la distribuzione del plasma e consentire un'energia più uniforme sulla superficie del wafer.
La durabilità e l'efficacia in termini di costi sono altri due vantaggi preziosi. Schermando le sezioni non necessarie della camera dal plasma, l'anello di protezione riduce l'usura di altri componenti critici, riducendo gli sforzi di manutenzione e aumentando i tempi operativi complessivi. La lunga durata e la sostituzione meno frequente lo rendono una soluzione economicamente vantaggiosa per le fabbriche di semiconduttori per aumentare la produttività e quindi ridurre i costi operativi.
ILSiliciogli anelli di protezione possono anche essere personalizzati per ogni configurazione di utensile e specifiche di processo poiché sono disponibili in diverse dimensioni e geometrie per adattarsi alle numerose diverse camere di incisione al plasma realizzate dai produttori, pur ottenendo un adattamento ottimale. Inoltre, è possibile utilizzare trattamenti superficiali e lucidatura per ridurre ulteriormente la generazione di particelle e garantire standard di produzione ultra puliti.