Porta-wafer epitassia

Applicazioni:L'Epitaxy Wafer Carrier, sviluppato da Semicorex, è specificamente progettato per l'uso in vari processi avanzati di produzione di semiconduttori. Questi vettori sono particolarmente adatti per ambienti come:

Deposizione chimica in fase vapore potenziata dal plasma (PECVD):Nei processi PECVD, l'Epitaxy Wafer Carrier è essenziale per la gestione dei substrati durante il processo di deposizione del film sottile, garantendo qualità e uniformità costanti.

Epitassia del silicio e del SiC:Per le applicazioni epitassia di silicio e SiC, in cui strati sottili vengono depositati su substrati per formare strutture cristalline di alta qualità, l'Epitaxy Wafer Carrier mantiene la stabilità in condizioni termiche estreme.

Unitàà di deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD):Utilizzate per fabbricare dispositivi semiconduttori compositi come LED ed elettronica di potenza, le unità MOCVD richiedono supporti in grado di sostenere le alte temperature e gli ambienti chimici aggressivi inerenti al processo.

Vantaggi:

Prestazioni stabili e uniformi alle alte temperature:

La combinazione di grafite isotropa e rivestimento in carburo di silicio (SiC) fornisce eccezionale stabilità termica e uniformità alle alte temperature. La grafite isotropa offre proprietà costanti in tutte le direzioni, il che è fondamentale per garantire prestazioni affidabili nell'Epitaxy Wafer Carrier utilizzato in condizioni di stress termico. Il rivestimento SiC contribuisce a mantenere una distribuzione termica uniforme, prevenendo punti caldi e garantendo che il supporto funzioni in modo affidabile per periodi prolungati.

Maggiore resistenza alla corrosione e maggiore durata dei componenti:

Il rivestimento SiC, con la sua struttura cristallina cubica, si traduce in uno strato di rivestimento ad alta densità. Questa struttura migliora significativamente la resistenza dell'Epitaxy Wafer Carrier ai gas corrosivi e alle sostanze chimiche tipicamente riscontrate nei processi PECVD, epitassia e MOCVD. Il denso rivestimento SiC protegge il substrato di grafite sottostante dal degrado, prolungando così la durata del supporto e riducendo la frequenza delle sostituzioni.

Spessore e copertura ottimali del rivestimento:

Semicorex utilizza una tecnologia di rivestimento che garantisce uno spessore di rivestimento SiC standard compreso tra 80 e 100 µm. Questo spessore è ottimale per raggiungere un equilibrio tra protezione meccanica e conduttività termica. La tecnologia garantisce che tutte le aree esposte, comprese quelle con geometrie complesse, siano rivestite in modo uniforme, mantenendo uno strato protettivo denso e continuo anche in elementi piccoli e complessi.

Adesione e protezione dalla corrosione superiori:

Infiltrando lo strato superiore di grafite con rivestimento SiC, l'Epitaxy Wafer Carrier ottiene un'adesione eccezionale tra il substrato e il rivestimento. Questo metodo non solo garantisce che il rivestimento rimanga intatto sotto stress meccanico, ma migliora anche la protezione dalla corrosione. Lo strato di SiC strettamente legato agisce come una barriera, impedendo ai gas reattivi e alle sostanze chimiche di raggiungere il nucleo di grafite, mantenendo così l'integrità strutturale del supporto in caso di esposizione prolungata a condizioni di lavorazione difficili.

Capacità di rivestire geometrie complesse:

L'avanzata tecnologia di rivestimento impiegata da Semicorex consente l'applicazione uniforme del rivestimento SiC su geometrie complesse, come piccoli fori ciechi con diametro fino a 1 mm e profondità superiori a 5 mm. Questa capacità è fondamentale per garantire la protezione completa dell'Epitaxy Wafer Carrier, anche in aree tradizionalmente difficili da rivestire, prevenendo così la corrosione e il degrado localizzati.

Interfaccia di rivestimento SiC ad elevata purezza e ben definita:

Per la lavorazione di wafer in silicio, zaffiro, carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN) e altri materiali, l'elevata purezza dell'interfaccia del rivestimento SiC rappresenta un vantaggio chiave. Questo rivestimento ad elevata purezza dell'Epitaxy Wafer Carrier previene la contaminazione e mantiene l'integrità dei wafer durante la lavorazione ad alta temperatura. L'interfaccia ben definita garantisce che la conduttività termica sia massimizzata, consentendo un efficiente trasferimento di calore attraverso il rivestimento senza barriere termiche significative.

Funzione come barriera di diffusione:

Il rivestimento SiC dell'Epitaxy Wafer Carrier funge anche da efficace barriera alla diffusione. Impedisce l'assorbimento e il desorbimento delle impurità dal materiale di grafite sottostante, mantenendo così un ambiente di lavorazione pulito. Ciò è particolarmente importante nella produzione di semiconduttori, dove anche livelli minimi di impurità possono avere un impatto significativo sulle caratteristiche elettriche del prodotto finale.