Infineon presenta il primo wafer GaN di potenza da 300 mm al mondo

Recentemente, Infineon Technologies ha annunciato lo sviluppo di successo della prima tecnologia al mondo per wafer al nitruro di gallio (GaN) da 300 mm. Ciò la rende la prima azienda a padroneggiare questa tecnologia innovativa e a realizzare la produzione di massa all’interno degli ambienti di produzione esistenti su larga scala e ad alta capacità. Questa innovazione segna un progresso significativo nel mercato dei semiconduttori di potenza basati su GaN.

Come si confronta la tecnologia da 300 mm con la tecnologia da 200 mm?

Rispetto alla tecnologia da 200 mm, l'utilizzo di wafer da 300 mm consente la produzione di 2,3 volte più chip GaN per wafer, migliorando significativamente l'efficienza produttiva e la resa. Questa svolta non solo consolida la leadership di Infineon nel campo dei sistemi di alimentazione, ma accelera anche il rapido sviluppo della tecnologia GaN.

Cosa ha detto il CEO di Infineon su questo risultato?

Jochen Hanebeck, CEO di Infineon Technologies, ha dichiarato: “Questo straordinario risultato dimostra la nostra solida forza nell’innovazione ed è una testimonianza degli sforzi incessanti del nostro team globale. Crediamo fermamente che questa svolta tecnologica rimodellerà le norme del settore e sbloccherà l’intero potenziale della tecnologia GaN. Quasi un anno dopo l’acquisizione di GaN Systems, dimostriamo ancora una volta la nostra determinazione a guidare il mercato GaN in rapida crescita. In qualità di leader nei sistemi di alimentazione, Infineon ha acquisito un vantaggio competitivo in tre materiali chiave: silicio, carburo di silicio e GaN”.

Il CEO di Infineon, Jochen Hanebeck, detiene uno dei primi wafer di potenza GaN da 300 mm al mondo prodotti in un ambiente di produzione esistente e scalabile ad alti volumi

Perché la tecnologia GaN da 300 mm è vantaggiosa?

Un vantaggio significativo della tecnologia GaN da 300 mm è che può essere prodotta utilizzando le apparecchiature di produzione di silicio da 300 mm esistenti, poiché GaN e silicio condividono somiglianze nei processi di produzione. Questa funzionalità consente a Infineon di integrare perfettamente la tecnologia GaN nei suoi attuali sistemi di produzione, accelerando così l’adozione e l’applicazione della tecnologia.

Dove ha prodotto con successo Infineon wafer GaN da 300 mm?

Attualmente, Infineon ha prodotto con successo wafer GaN da 300 mm sulle linee di produzione di silicio da 300 mm esistenti presso la sua centrale elettrica di Villach, in Austria. Basandosi sulle solide basi della tecnologia GaN da 200 mm e della produzione di silicio da 300 mm, l'azienda ha ulteriormente ampliato le proprie capacità tecnologiche e produttive.

Cosa significa questa svolta per il futuro?

Questa svolta non solo evidenzia i punti di forza di Infineon nell’innovazione e nelle capacità di produzione su larga scala, ma pone anche solide basi per il futuro sviluppo del settore dei semiconduttori di potenza. Man mano che la tecnologia GaN continua ad evolversi, Infineon continuerà a guidare la crescita del mercato, rafforzando ulteriormente la propria posizione di leadership nel settore globale dei semiconduttori.**