I parametri fondamentali nell'incisione a secco

2025-11-14

L'incisione a secco è una tecnologia principale nei processi di produzione di sistemi microelettromeccanici. Le prestazioni del processo di incisione a secco esercitano un'influenza diretta sulla precisione strutturale e sulle prestazioni operative dei dispositivi a semiconduttore. Per controllare con precisione il processo di incisione, è necessario prestare particolare attenzione ai seguenti parametri di valutazione fondamentali.


1.Etch Rete

La velocità di incisione si riferisce allo spessore del materiale inciso per unità di tempo (unità: nm/min o μm/min). Il suo valore influisce direttamente sull'efficienza dell'incisione e una bassa velocità di incisione prolungherà il ciclo di produzione. Va notato che i parametri dell'apparecchiatura, le proprietà del materiale e l'area di incisione influenzano tutti la velocità di incisione.


2.Selettività

La selettività del substrato e la selettività della maschera sono i due tipi di selettività dell'attacco a secco. Idealmente, dovrebbe essere scelto il gas di attacco con elevata selettività della maschera e bassa selettività del substrato, ma in realtà la scelta deve essere ottimizzata considerando le proprietà del materiale.


3.Uniformità

L'uniformità all'interno del wafer è la coerenza della velocità in diverse posizioni all'interno dello stesso wafer, che porta a deviazioni dimensionali nei dispositivi a semiconduttore. Mentre l'uniformità da wafer a wafer si riferisce alla coerenza della velocità tra diversi wafer, che può causare fluttuazioni di precisione da lotto a lotto.



4. Dimensione critica

La dimensione critica si riferisce ai parametri geometrici delle microstrutture come larghezza della linea, larghezza della trincea e diametro del foro.


5.Proporzioni

Le proporzioni, come suggerisce il nome, sono il rapporto tra la profondità dell'incisione e la larghezza dell'apertura. Le strutture con proporzioni sono un requisito fondamentale per i dispositivi 3D nei MEMS e devono essere ottimizzate attraverso il rapporto del gas e il controllo della potenza per evitare il degrado della velocità di fondo.


6. Danni all'incisione

Danni da incisione come sovraincisione, sottosquadro e incisione laterale possono ridurre l'accuratezza dimensionale (ad esempio, deviazione della spaziatura degli elettrodi, restringimento delle travi a sbalzo).


7.Effetto di caricamento

L'effetto di caricamento si riferisce al fenomeno per cui la velocità di incisione cambia in modo non lineare con variabili come l'area e la larghezza della linea del modello inciso. In altre parole, diverse aree o larghezze di linea incise porteranno a differenze nella velocità o nella morfologia.



Semicorex è specializzato inRivestito in SiCERivestito in TaCsoluzioni di grafite applicate nei processi di incisione nella produzione di semiconduttori, se hai domande o hai bisogno di ulteriori dettagli, non esitare a contattarci.

Telefono di contatto: +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com




X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept