Anello guida rivestimento TaC

Funzione diAnello guida rivestimento TaC:

Controllo preciso del flusso di gas:L'anello guida del rivestimento TaC è posizionato strategicamente all'interno del sistema di iniezione del gas del reattore MOCVD. la sua funzione primaria è quella di dirigere il flusso dei gas precursori e garantire la loro distribuzione uniforme sulla superficie del wafer substrato. Questo controllo preciso sulla dinamica del flusso di gas è essenziale per ottenere una crescita uniforme dello strato epitassiale e le proprietà del materiale desiderate.

Gestione termica:L'anello guida del rivestimento TaC funziona spesso a temperature elevate a causa della vicinanza al suscettore e al substrato riscaldati. L'eccellente conduttività termica del TaC aiuta a dissipare il calore in modo efficace, prevenendo il surriscaldamento localizzato e mantenendo un profilo di temperatura stabile all'interno della zona di reazione.

Vantaggi del TaC nel MOCVD:

Resistenza alle temperature estreme:Il TaC vanta uno dei punti di fusione più alti tra tutti i materiali, superando i 3800°C. 

Eccezionale inerzia chimica:Il TaC mostra un'eccezionale resistenza alla corrosione e agli attacchi chimici da parte dei gas precursori reattivi utilizzati nel MOCVD, come ammoniaca, silano e vari composti metallo-organici.

Confronto della resistenza alla corrosione di TaC e SiC

Bassa dilatazione termica:Il basso coefficiente di espansione termica del TaC riduce al minimo le variazioni dimensionali dovute alle fluttuazioni di temperatura durante il processo MOCVD. 

Elevata resistenza all'usura:La durezza e la durabilità del TaC forniscono un'eccellente resistenza all'usura dovuta al flusso costante di gas e al potenziale particolato all'interno del sistema MOCVD. 

Vantaggi per le prestazioni MOCVD:

L'uso dell'anello guida con rivestimento Semicorex TaC nelle apparecchiature MOCVD contribuisce in modo significativo a:

Uniformità dello strato epitassiale migliorata:Il controllo preciso del flusso di gas facilitato dall'anello guida del rivestimento TaC garantisce una distribuzione uniforme del precursore, con conseguente crescita dello strato epitassiale altamente uniforme con spessore e composizione costanti.

Stabilità del processo migliorata:La stabilità termica e l'inerzia chimica del TaC contribuiscono a creare un ambiente di reazione più stabile e controllato all'interno della camera MOCVD, riducendo al minimo le variazioni del processo e migliorando la riproducibilità.

Aumento del tempo di attività dell'attrezzatura:La robustezza e la durata prolungata dell'anello guida del rivestimento TaC riducono la necessità di sostituzioni frequenti, riducendo al minimo i tempi di fermo per manutenzione e massimizzando l'efficienza operativa del sistema MOCVD.