Riscaldatore MOCVD

Questo riscaldatore è costruito utilizzando grafite di elevata purezza, con livelli di impurità meticolosamente controllati a meno di 5 parti per milione (ppm). La grafite viene quindi rivestita con carburo di silicio (SiC) mediante deposizione chimica in fase vapore (CVD), che vanta un livello di purezza superiore al 99,99995%. Questa combinazione di materiali conferisce al riscaldatore un insieme unico di proprietà indispensabili per ottenere prestazioni ottimali nei processi di deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD).

Una delle caratteristiche più notevoli del riscaldatore Semicorex MOCVD è la sua eccezionale purezza chimica. Il nucleo in grafite ad elevata purezza riduce al minimo l'introduzione di contaminanti durante i processi ad alta temperatura, garantendo la deposizione di film sottili ultra puliti. Il rivestimento CVD SiC migliora ulteriormente questa purezza, fornendo una robusta barriera contro le interazioni chimiche che potrebbero compromettere l’integrità degli strati depositati. Questo elevato livello di purezza chimica è fondamentale per la produzione di dispositivi a semiconduttore con prestazioni e affidabilità superiori.

Inoltre, il riscaldatore è estremamente robusto e termicamente efficiente, in grado di resistere alle condizioni termiche estreme tipiche dei processi MOCVD. Le proprietà intrinseche del SiC, come l’elevato punto di fusione e la conduttività termica, contribuiscono alla capacità del riscaldatore di gestire e distribuire in modo efficiente il calore. Questa efficienza termica garantisce un riscaldamento uniforme su tutto il substrato, essenziale per ottenere una deposizione omogenea della pellicola e ridurre al minimo i gradienti termici che potrebbero portare a difetti.

La conduttività elettrica è un'altra area in cui eccelle il riscaldatore Semicorex MOCVD. Il nucleo in grafite ad elevata purezza fornisce un'eccellente conduttività elettrica, consentendo al riscaldatore di gestire facilmente carichi elettrici elevati. Questa capacità è particolarmente importante nei processi MOCVD che richiedono un controllo preciso della temperatura e dei tassi di deposizione. La capacità del riscaldatore di mantenere prestazioni elettriche stabili sotto carichi elevati garantisce condizioni di processo coerenti e riproducibili, fondamentali per la produzione di semiconduttori ad alto rendimento.

La superficie piana del riscaldatore è meticolosamente progettata per fornire una maggiore emissività verso il substrato, migliorando l'efficienza del trasferimento di calore radiativo. Questa caratteristica di progettazione garantisce che il substrato riceva un riscaldamento uniforme, il che è fondamentale per ottenere film sottili di alta qualità con spessore e proprietà costanti. La superficie ad alta emissività contribuisce inoltre all'efficienza termica complessiva del riscaldatore, riducendo il consumo energetico e i costi operativi.

In terms of durability, the Semicorex MOCVD Heater offers exceptional corrosion resistance, inoxidizability, and high mechanical strength. The CVD SiC coating provides a robust protective layer that resists corrosive gases and chemicals commonly encountered in MOCVD processes. This corrosion resistance extends the operational lifespan of the heater, reducing maintenance and replacement costs. The heater’s inoxidizability ensures that it remains stable and does not degrade even at high temperatures, preserving its performance and structural integrity over long operational periods.

Infine, l’elevata resistenza meccanica del riscaldatore garantisce che possa resistere alle sollecitazioni fisiche associate al ciclo termico e alla movimentazione del substrato. Questa robustezza riduce al minimo il rischio di guasti meccanici, garantendo un funzionamento affidabile e continuo.