Il tubo guida interno Semicorex è un componente composito carbonio/carbonio ad alte prestazioni progettato per regolare il flusso di calore e creare un campo termico stabile e uniforme durante la crescita dei cristalli di silicio di elevata purezza. Semicorex è un fornitore affidabile di materiali avanzati e componenti di precisione, che offre soluzioni affidabili per le industrie manifatturiere di semiconduttori e fotovoltaiche in tutto il mondo.*
Il tubo guida interno Semicorex è progettato con precisionecomponente carbonio/carbonio (C/C).progettato per applicazioni avanzate in campo termico ad alta temperatura, in particolare nella crescita di cristalli di silicio di elevata purezza. Essendo un elemento critico all'interno dei forni per la crescita dei cristalli, questo componente svolge un ruolo centrale nel modellare e stabilizzare il gradiente termico, garantendo una formazione ottimale dei cristalli e una qualità costante del materiale.
Realizzato in composito di carbonio rinforzato con fibra di carbonio ad alta densità, il tubo guida interno offre eccezionale integrità strutturale e stabilità termica in condizioni estreme. Con una densità di ≥1,35 g/cm³ e una resistenza alla flessione di ≥110 MPa, mantiene la robustezza meccanica anche durante l'esposizione prolungata a temperature elevate. Queste proprietà sono essenziali nella produzione di silicio per semiconduttori, dove anche piccole fluttuazioni delle condizioni termiche possono influenzare in modo significativo l'uniformità dei cristalli e il tasso di difetti.
Il ruolo principale del tubo guida interno C/C è quello di costruire un preciso campo di temperatura del gradiente. Durante il processo di crescita del cristallo di silicio, viene posizionato direttamente sopra la massa fusa per:
Flusso di gas diretto: guida il flusso di gas argon inerte, garantendo che i vapori di ossido di silicio (SiO) vengano spazzati via in modo efficiente dalla superficie fusa, prevenendo la contaminazione da ossigeno nel cristallo.
Schermatura termica: protegge il cristallo in crescita dalla radiazione termica diretta proveniente dalle pareti del crogiolo, stabilendo il ripido gradiente di temperatura assiale necessario per l'estrazione del cristallo ad alta velocità e di alta qualità.
Efficienza energetica: concentrando il calore all'interno della zona di fusione e isolando i componenti superiori del forno, si riduce significativamente il consumo energetico totale.
I nostri tubi guida interni sono realizzati utilizzando l'alta densitàCompositi carbonio/carbonio, fornendo un'alternativa superiore alla grafite tradizionale. Le proprietà del materiale sono ottimizzate per le condizioni estreme dei forni a vuoto per semiconduttori:
Densità: ≥ 1,35 g/cm³
Resistenza alla flessione: ≥ 110 MPa
Coefficiente di dilatazione termica (CTE): ≤ 1,0 × 10⁻⁶ /K
Conduttività termica (temperatura ambiente): ≤ 10 W/(m·K)
Mentre l'industria si sposta verso dimensioni di wafer più grandi (300 mm e 450 mm), le esigenze nel campo termico aumentano in modo esponenziale. I nostri tubi guida interni sono compatibili con i principali marchi di forni CZ e possono essere personalizzati in termini di geometria e rivestimento.