Parti Halfmoon rivestite in SiC

Le parti Halfmoon, rivestite con carburo di silicio (SiC) di prima qualità, sono una caratteristica essenziale dei processi di epitassia sia come trasportatori di wafer che come conduttori termici. La loro forma specializzata a mezzaluna fornisce un metodo di assemblaggio in una forma cilindrica che funge da dispositivo all'interno dei reattori epitassiali. All'interno della camera o dell'ambiente del reattore, i wafer devono essere fissati ma anche riscaldati uniformemente mentre avviene la deposizione critica del film sottile. Le parti Halfmoon rivestite in SiC forniscono la giusta quantità di supporto meccanico, stabilità termica e resistenza chimica per eseguire queste attività.

Grafiteè il materiale del substrato per le parti Halfmoon ed è stato scelto per la sua ottima conduttività termica e per il peso e la resistenza relativamente bassi. La superficie della grafite è ricoperta da una densa superficie di carburo di silicio depositato da vapore chimico (CVD SiC) di elevata purezza per essere resistente agli ambienti aggressivi associati alla crescita epitassiale. Il rivestimento SiC migliora la durezza superficiale delle parti e fornisce resistenza ai gas reattivi come idrogeno e cloro, garantendo una buona stabilità a lungo termine e una contaminazione molto limitata durante la lavorazione. Grafite e SiC lavorano insieme nelle parti Halfmoon per fornire il giusto equilibrio tra resistenza meccanica e proprietà chimiche e termiche.

Uno dei ruoli più vitali delRivestito in SiCHalfmoon Parts è il supporto dei wafer. Si prevede che i wafer siano piatti e stabili durante l'intera epitassia per facilitare una crescita uniforme della struttura reticolare negli strati cristallini. Qualsiasi grado di flessione o instabilità nelle parti di supporto può introdurre strati difettosi nell'epitassia e in definitiva influire sulle prestazioni del dispositivo. Le parti Halfmoon sono realizzate con cura per la massima stabilità dimensionale alle alte temperature per limitare il potenziale di deformazione e fornire un posizionamento appropriato del wafer in qualsiasi data ricetta epitassiale. Questa integrità strutturale si traduce in una migliore qualità epitassiale e in una maggiore resa.

Una funzione altrettanto importante degli Halfmoon Parts è la conduzione termica. In una camera epitassiale, una conduttività termica uniforme e stazionaria è fondamentale per ottenere film sottili di alta qualità. Il nucleo in grafite è ideale per la conduttività termica per favorire il processo di riscaldamento e facilitare una distribuzione uniforme della temperatura. Il rivestimento SiC protegge il nucleo dall'affaticamento termico, dal degrado e dalla contaminazione durante il processo. Pertanto, i wafer possono essere riscaldati in modo uniforme per ottenere un trasferimento di temperatura uniforme e supportare lo sviluppo di strati epitassiali privi di difetti. In altre parole, per i processi di crescita di film sottili che richiedono condizioni termiche specifiche, le parti Halfmoon rivestite in SiC offrono efficienza e affidabilità. La longevità è un aspetto chiave dei componenti. L’epitassia consiste spesso in cicli termici a temperature elevate superiori a quelle che i comuni materiali da costruzione possono sopportare senza degradazione.

La pulizia è un altro vantaggio importante. Poiché l'epitassia è molto sensibile alla contaminazione, l'utilizzo del rivestimento CVD SiC di purezza eccezionalmente elevata elimina la contaminazione dalla camera di reazione. Ciò riduce al minimo la generazione di particelle e protegge i wafer dai difetti. Il continuo ridimensionamento delle geometrie dei dispositivi e il continuo restringimento dei requisiti del processo epitassiale rendono il controllo della contaminazione fondamentale per garantire una qualità di produzione costante.

Le parti Halfmoon rivestite in SiC Semicorex non solo risolvono i problemi di pulizia, ma sono anche flessibili e possono essere regolate per adattarsi a varie configurazioni di sistemi epitassiali. Possono anche essere prodotti in determinate dimensioni, spessori di rivestimento e design/tolleranze che si adattano ipoteticamente alle apparecchiature più esigenti. Questa flessibilità aiuta a garantire che le apparecchiature esistenti possano integrarsi perfettamente e mantenere la compatibilità di processo più favorevole.