Anelli per bordi

Gli anelli dei bordi Semicorex sono una parte fondamentale dell'intero processo di produzione dei semiconduttori, in particolare per le applicazioni di elaborazione dei wafer tra cui l'attacco al plasma e la deposizione di vapore chimico (CVD). Gli anelli di bordo sono progettati per circondare il perimetro esterno di un wafer a semiconduttore al fine di distribuire l'energia uniformemente migliorando la stabilità del processo, la resa del wafer e l'affidabilità del dispositivo. I nostri anelli di bordo sono realizzati con deposizione di vapore chimico ad alta purezza in carburo di silicio (CVD SIC) e sono costruiti per ambienti di processo impegnativi.

Durante i processi basati sul plasma sorgono problemi in cui la non uniformità energetica e la distorsione del plasma ai margini del wafer crea rischi di difetti, deriva del processo o perdita di resa. Gli anelli di bordo minimizzano questo rischio focalizzando e modellando il campo energetico attorno al perimetro esterno del wafer. Gli anelli per bordi si trovano appena fuori dal bordo esterno del wafer e agiscono come barriere di processo e guide energetiche che minimizzano gli effetti del bordo, proteggono il bordo del wafer dall'eccessiva e forniscono un'uniformità aggiuntiva essenziale attraverso la superficie del wafer.

Benefici materiali di CVD SIC:

I nostri anelli di bordo sono fabbricati con SIC CVD di alta purezza, progettato in modo univoco e progettato per ambienti di processo difficili. Il CVD SIC è caratterizzato da eccezionale conduttività termica, elevata resistenza meccanica e eccellente resistenza chimica: tutti gli attributi che rendono CVD SIC il materiale di scelta per applicazioni a semiconduttore che richiedono durata, stabilità e problemi a bassa contaminazione.

Elevata purezza: CVD SIC ha impurità quasi zero, il che significa che ci saranno poco o nessuna particella generata e nessuna contaminazione da metallo che è vitale nei semiconduttori di nodi avanzati.

Stabilità termica: il materiale mantiene la stabilità dimensionale a temperature elevate, il che è cruciale per un corretto posizionamento del wafer nella sua posizione plasmatica.

Inertezza chimica: è inerte a gas corrosivi come quelli contenenti fluoro o cloro che sono comunemente usati in un ambiente di attacco al plasma e processi CVD.

Resistenza meccanica: CVD SIC può resistere al cracking e all'erosione durante i periodi di tempo di ciclo prolungati garantendo la massima vita e minimizzando i costi di manutenzione.

Ogni anello di bordo è ingegnerizzato su misura per ospitare le dimensioni geometriche della camera di processo e le dimensioni del wafer; in genere 200 mm o 300 mm. Le tolleranze di progettazione sono prese in modo molto stretto per garantire che l'anello del bordo possa essere utilizzato nel modulo di processo esistente senza necessità di modifiche. Sono disponibili geometrie e finiture superficiali personalizzate per soddisfare i requisiti OEM unici o le configurazioni dello strumento.