Cos'è CVD per SiC

La deposizione chimica da vapore, o CVD, è un metodo comunemente usato per creare film sottili utilizzati nella produzione di semiconduttori.Nel contesto del SiC, CVD si riferisce al processo di crescita di film sottili o rivestimenti di SiC mediante la reazione chimica di precursori gassosi su un substrato. I passaggi generali coinvolti nel SiC CVD sono i seguenti:

Preparazione del substrato: il substrato, solitamente un wafer di silicio, viene pulito e preparato per garantire una superficie pulita per la deposizione di SiC.

Preparazione del gas precursore: vengono preparati precursori gassosi contenenti silicio e atomi di carbonio. I precursori comuni includono silano (SiH4) e metilsilano (CH3SiH3).

Configurazione del reattore: il substrato viene posizionato all'interno di una camera del reattore e la camera viene evacuata e spurgata con un gas inerte, come l'argon, per rimuovere le impurità e l'ossigeno.

Processo di deposizione: i gas precursori vengono introdotti nella camera del reattore, dove subiscono reazioni chimiche per formare SiC sulla superficie del substrato. Le reazioni sono tipicamente condotte ad alte temperature (800-1200 gradi Celsius) e sotto pressione controllata.

Crescita del film: il film di SiC cresce gradualmente sul substrato man mano che i gas precursori reagiscono e depositano atomi di SiC. Il tasso di crescita e le proprietà del film possono essere influenzati da vari parametri di processo, come temperatura, concentrazione dei precursori, velocità di flusso del gas e pressione.

Raffreddamento e post-trattamento: una volta raggiunto lo spessore del film desiderato, il reattore viene raffreddato e il substrato rivestito di SiC viene rimosso. Ulteriori fasi di post-trattamento, come la ricottura o la lucidatura della superficie, possono essere eseguite per migliorare le proprietà del film o rimuovere eventuali difetti.

SiC CVD consente un controllo preciso su spessore, composizione e proprietà del film. È ampiamente utilizzato nell'industria dei semiconduttori per la produzione di dispositivi elettronici basati su SiC, come transistor ad alta potenza, diodi e sensori. Il processo CVD consente la deposizione di film SiC uniformi e di alta qualità con un'eccellente conduttività elettrica e stabilità termica, rendendolo adatto a varie applicazioni nei settori dell'elettronica di potenza, aerospaziale, automobilistico e di altro tipo.

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