Recettore Epi-SiC

Semicorex Epi-SiC Susceptor è una confluenza di resistenza alle alte temperature, inerzia chimica e diffusione termica superiore, si pone come un esempio di resilienza ed efficienza di fronte alle condizioni intensive sinonimo di sforzi di crescita epitassiale. L'applicazione di un rivestimento SiC aumenta significativamente le caratteristiche termiche del suscettore Epi-SiC. Questo miglioramento facilita la distribuzione termica uniforme essenziale per il riscaldamento dei wafer, fondamentale per la deposizione di strati epitassiali coerenti e di alta qualità sui wafer semiconduttori.

Realizzato su misura per soddisfare le rigorose esigenze dei processi epitassiali dei wafer, il suscettore Epi-SiC è alla base del trasporto continuo dei wafer all'interno dell'ambiente del forno. Il suo design robusto costituisce un baluardo contro lo spostamento o la compromissione del wafer, mitigando così l'incidenza dei danni durante le fasi critiche dello sviluppo dello strato epitassiale. Inoltre, il suscettore Epi-SiC funge da barriera protettiva per il substrato di grafite sottostante, proteggendolo dalle interazioni chimiche e dall'abrasione che i processi epitassiali potrebbero indurre.

La fusione di un nucleo in grafite resiliente con un rivestimento protettivo in SiC non solo rafforza le prestazioni del susceptor Epi-SiC, ma ne prolunga significativamente la durata. Il risultato è un investimento che produce dividendi sotto forma di risparmi operativi sostenuti per le imprese di produzione di semiconduttori, posizionando il suscettore Epi-SiC come una scelta giudiziosa per coloro che desiderano ottimizzare le proprie operazioni di produzione.