Portawafer da 6'' per Aixtron G5

Il portawafer Semicorex da 6'' per Aixtron G5, spesso indicato come suscettori, svolge un ruolo essenziale trattenendo saldamente i wafer semiconduttori durante l'elaborazione ad alta temperatura. I suscettori assicurano che i wafer rimangano in una posizione fissa, fondamentale per la deposizione uniforme dello strato:

Gestione termica:

Il Wafer Carrier da 6'' per Aixtron G5 è progettato per fornire riscaldamento e raffreddamento uniformi su tutta la superficie del wafer, che è fondamentale per i processi di crescita epitassiale utilizzati per creare strati di semiconduttori di alta qualità.

Crescita epitassiale:

Strati SiC e GaN:

La piattaforma Aixtron G5 viene utilizzata principalmente per la crescita epitassiale di strati SiC e GaN. Questi strati sono fondamentali nella fabbricazione di transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT), LED e altri dispositivi semiconduttori avanzati.

Precisione e uniformità:

L'elevata precisione e uniformità richieste nel processo di crescita epitassiale sono agevolate dalle eccezionali proprietà del Wafer Carrier da 6'' per Aixtron G5. Il supporto aiuta a raggiungere lo spessore rigoroso e l'uniformità della composizione necessari per i dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni.

Vantaggi:

Stabilità alle alte temperature:

Tolleranza a temperature estreme:

Il wafer carrier da 6'' per Aixtron G5 può sopportare temperature estremamente elevate, spesso superiori a 1600°C. Questa stabilità è fondamentale per i processi epitassiali che richiedono temperature elevate sostenute per periodi prolungati.

Integrità termica:

La capacità del Wafer Carrier da 6'' per Aixtron G5 di mantenere l'integrità strutturale a temperature così elevate garantisce prestazioni costanti e riduce il rischio di degrado termico, che potrebbe compromettere la qualità degli strati semiconduttori.

Eccellente conducibilità termica:

Distribuzione del calore:

L'elevata conduttività termica del SiC facilita un efficiente trasferimento di calore attraverso la superficie del wafer, garantendo un profilo di temperatura uniforme. Questa uniformità è vitale per evitare gradienti termici che possono portare a difetti e disuniformità negli strati epitassiali.

Controllo di processo migliorato:

Una migliore gestione termica consente un migliore controllo sul processo di crescita epitassiale, consentendo la produzione di strati semiconduttori di qualità superiore con meno difetti.

Resistenza chimica:

Compatibilità con ambienti corrosivi:

Il Wafer Carrier da 6'' per Aixtron G5 offre un'eccezionale resistenza ai gas corrosivi comunemente utilizzati nei processi CVD, come idrogeno e ammoniaca. Questa resistenza prolunga la durata dei supporti dei wafer proteggendo il substrato di grafite dagli attacchi chimici.

Costi di manutenzione ridotti:

La durata del Wafer Carrier da 6'' per Aixtron G5 riduce la frequenza di manutenzione e sostituzione, con conseguente riduzione dei costi operativi e aumento dei tempi di attività delle apparecchiature Aixtron G5.

Basso coefficiente di dilatazione termica (CTE):

Stress termico ridotto al minimo:

Il basso CTE del SiC aiuta a ridurre al minimo lo stress termico durante i rapidi cicli di riscaldamento e raffreddamento inerenti ai processi di crescita epitassiale. Questa riduzione dello stress termico diminuisce la probabilità di rottura o deformazione del wafer, che può portare al guasto del dispositivo.

Compatibilità con le apparecchiature Aixtron G5:

Progettazione su misura:

Il portawafer Semicorex da 6'' per Aixtron G5 è specificamente progettato per essere compatibile con le apparecchiature Aixtron G5, garantendo prestazioni ottimali e integrazione perfetta.

Prestazioni massimizzate:

Questa compatibilità massimizza le prestazioni e l'efficienza del sistema Aixtron G5, consentendogli di soddisfare i rigorosi requisiti dei moderni processi di produzione di semiconduttori.