Portatore epitassia GaN

Il Semicorex GaN Epitaxy Carrier eccelle nel trasporto sicuro dei wafer all'interno del forno ed è progettato per i processi epitassiali dei wafer. Il GaN Epitaxy Carrier è fondamentale per ottenere film sottili e strati epitassiali riproducibili e di alta qualità necessari per la produzione di dispositivi elettronici e optoelettronici avanzati.

Il substrato di grafite del GaN Epitaxy Carrier è arricchito con un rivestimento all'avanguardia in carburo di silicio (SiC) mediante deposizione chimica in fase vapore (CVD). Questo strato di SiC viene applicato meticolosamente tramite deposizione chimica da vapore, fornendo una solida protezione contro le reazioni chimiche e l'usura durante il processo di epitassia. Inoltre, il rivestimento SiC del supporto GaN Epitaxy migliora le proprietà termiche del supporto, facilitando un riscaldamento efficiente e uniforme dei wafer. Tale riscaldamento uniforme è vitale per la produzione di strati epitassiali coerenti e di alta qualità su wafer semiconduttori.

Personalizzabile per adattarsi a una varietà di dimensioni di wafer semiconduttori, il Semicorex GaN Epitaxy Carrier è una soluzione versatile per diverse esigenze di produzione. Se sono richieste dimensioni, forme o spessori di rivestimento specifici, il nostro team collabora con i clienti per sviluppare una soluzione che soddisfi le loro specifiche precise e ottimizzi le prestazioni per le loro applicazioni uniche.