Struttura a botte per reattore epitassiale a semiconduttore

La struttura a barilotto Semicorex per reattore epitassiale a semiconduttore è la scelta ideale per applicazioni di suscettori in grafite ad alte prestazioni che richiedono un'eccezionale resistenza al calore e alla corrosione. Il suo rivestimento SiC ad alta purezza e densità e conducibilità termica superiori forniscono proprietà di protezione e distribuzione del calore superiori, garantendo prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti più difficili.

La nostra struttura a botte per reattore epitassiale a semiconduttore è progettata per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Questo aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip del wafer.

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Parametri della struttura a botte per reattore epitassiale a semiconduttore

Caratteristiche della struttura a botte per reattore epitassiale a semiconduttore

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.