Lingotto SiC tipo N da 4" 6" 8".

Semicorex fornisce lingotti SiC di tipo N con 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici. Siamo produttori e fornitori di wafer da molti anni. Il nostro lingotto SiC di tipo N da 4 "6" 8 "ha un buon vantaggio di prezzo e copre la maggior parte dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

Semicorex fornisce lingotti SiC di tipo N da 4" 6" 8". Siamo produttori e fornitori di wafer da molti anni.

Specifica del lingotto SiC di tipo N da 4 pollici
Elementi			Grado di produzione			Grado fittizio
Politipo			4H
Drogante			azoto di tipo n
Resistività			0,015~0,025 ohm·cm			0,015~0,028 ohm·cm
Diametro			100,25±0,25 mm
Spessore			Â¥15 mm
Errore di orientamento della superficie			4°verso<11-20>±0.2°
Orientamento piatto primario			[1-100]±5,0°
Lunghezza piatta primaria			32,5±1,5 mm
Appartamento secondario			90,0°CW dal primario ±5,0°, silicio rivolto verso l'alto
Lunghezza piana secondaria			18±1,5 mm
Densità del microtubo			â¤0,5 cad/cm2			â¤10 cad/cm2
DBP			â¤2000 ca/cm2			--
TSD			â¤500 cad/cm2			--
Crepe sui bordi			â¤3 cadï¼â¤1mm/cad			â¤5 cadï¼â¤3mm/cad
Aree politipiche			Nessuno			â¤5% area
Rientri del bordo			â¤3 eaï¼â¤1mm di larghezza e profonditÃ			â¤5 eaï¼â¤2mm di larghezza e profondità
Etichetta			C-faccia
Confezione			cassetta unità-lingotto, confezionamento sottovuoto
Specifica del lingotto SiC di tipo N da 6 pollici
Elementi		Grado di produzione			Grado fittizio
Politipo		4H
Drogante		azoto di tipo n
Resistività		0,015~0,025			0,015~0,028
Diametro		150,25±0,25 mm
Spessore		Â¥15 mm
Errore di orientamento della superficie		4°verso<11-20>±0.2°
Orientamento piatto primario		[1-100]±5,0°
Lunghezza piatta primaria		47,5±1,5 mm
Densità del microtubo		â¤0,5 cad/cm2			â¤10 cad/cm2
DBP		â¤2000 ca/cm2			--
TSD		â¤500 cad/cm2			--
Crepe sui bordi		â¤3 cadï¼â¤1mm/cad			â¤5 cadï¼â¤3mm/cad
Aree politipiche		Nessuno			â¤5% area
Rientri del bordo		â¤3 eaï¼â¤1mm di larghezza e profonditÃ			â¤5 eaï¼â¤2mm di larghezza e profondità
Etichetta		C-faccia
Confezione		cassetta unità-lingotto, confezionamento sottovuoto
Specifica del lingotto SiC di tipo N da 8 pollici
Elementi	Grado di produzione			Grado di ricerca			Grado fittizio
Politipo	4H
Drogante	azoto di tipo n
Resistività	0,015~0,028			0,01~0,04			N / A
Diametro	200,25±0,25 mm
Spessore	N / A
Errore di orientamento della superficie	4°verso<11-20>±0.5°
Orientamento della tacca	[1-100]±5,0°
Profondità della tacca	1~1,5 mm
Densità del microtubo	â¤2 cad/cm2			â¤10 cad/cm2			â¤50 cad/cm2
DBP	â¤2000 ca/cm2			â¤500 cad/cm2			--
TSD	â¤500 cad/cm2			â¤1000 cad/cm2			--
Crepe sui bordi	â¤3 cadï¼â¤1mm/cad			â¤4 cadï¼â¤2 mm/cad			â¤5 cadï¼â¤3mm/cad
Aree politipiche	Nessuno			â¤20% area			â¤30% area
Rientri del bordo	â¤3 eaï¼â¤1mm di larghezza e profonditÃ			â¤4 eaï¼â¤2mm di larghezza e profonditÃ			â¤5 eaï¼â¤2mm di larghezza e profondità
Etichetta	C-faccia
Confezione	cassetta unità-lingotto, confezionamento sottovuoto