Semicorex SiSiC Wafer Boat è il componente cruciale del semiconduttore, è realizzato in ceramica di carburo di silicio ad alta purezza con rivestimento CVD. Semicorex può offrire le soluzioni più adatte in base alle esigenze del cliente e avvalersi di partner qualificati in tutto il mondo.*
Nel panorama competitivo della produzione di semiconduttori e celle solari, è essenziale bilanciare la produttività con la longevità dei componenti. NostroSiSiC I Wafer Boat sono progettati per essere il "cavallo di battaglia industriale" per le operazioni in forni ad alta temperatura. Utilizzando il processo di legame a reazione, forniamo un supporto che offre resistenza meccanica e resistenza agli shock termici superiori rispetto al quarzo tradizionale e alla ceramica standard.
A differenza del SiC sinterizzato, che si forma attraverso il consolidamento della polvere ad alta pressione,Barca per wafer SiSiC viene prodotto infiltrando una preforma di carbonio porosa con silicio fuso. Questo processo di "Reaction Bonding" si traduce in un materiale con ritiro quasi nullo durante la produzione, consentendo la produzione di architetture navali complesse e su larga scala con un'incredibile precisione dimensionale.
Una delle sfide più critiche nella lavorazione batch è il rapido ciclo "push-pull" del forno. I supporti in quarzo spesso si rompono sotto stress termico. Il SiSiC possiede un modulo di rottura (MOR) significativamente più elevato e un'eccellente conduttività termica. Ciò consente alle nostre imbarcazioni di resistere a rapidi aumenti di temperatura senza il rischio di cedimenti strutturali, il che si traduce direttamente in minori tempi di fermo delle apparecchiature.
Man mano che le dimensioni dei wafer aumentano e i lotti diventano più grandi per massimizzare la produttività, aumenta il peso sul supporto. Le nostre imbarcazioni SiSiC presentano un'eccezionale resistenza allo scorrimento viscoso. Mentre altri materiali potrebbero abbassarsi o deformarsi sotto carichi pesanti a 1.250°C, SiSiC mantiene la sua geometria, garantendo che il parallelismo degli slot del wafer rimanga perfetto per migliaia di cicli.
Le nostre barche SiSiC sono progettate per ambienti chimici difficili. Il materiale è intrinsecamente resistente ai gas corrosivi utilizzati nei processi LPCVD e di diffusione. Inoltre, la superficie è trattata per garantire che non vi sia migrazione di "silicio libero", fornendo un ambiente stabile e pulito che protegge l'integrità elettrica dei wafer.
| Proprietà |
SiSiC (legato alla reazione) |
Quarzo tradizionale |
Vantaggio industriale |
| Temp. massima di utilizzo |
1.350°C – 1.380°C |
~1.100°C |
Maggiore flessibilità del processo |
| Conducibilità termica |
> 150 W/m·K |
1,4 W/m·K |
Riscaldamento rapido e uniforme |
| Modulo elastico |
~330 GPa |
~70 GPa |
Nessun cedimento sotto carichi pesanti |
| Porosità |
<0,1% |
0% |
Assorbimento minimo di gas |
| Densità |
3,02 - 3,10 g/cm³ |
2,20 g/cm³ |
Elevata stabilità strutturale |
I nostri wafer boat SiSiC sono compatibili con i principali OEM di forni a livello mondiale, tra cui TEL (Tokyo Electron), ASM e Kokusai Electric. Forniamo soluzioni personalizzate per:
Forni a diffusione orizzontale: barche di lunga lunghezza con scanalature ad alta precisione per wafer da 150 mm e 200 mm.
Sistemi di forni verticali: design a massa ridotta che ottimizzano il flusso di gas e l'uniformità termica.
Produzione di celle solari fotovoltaiche: vettori SiSiC specializzati progettati per la diffusione di POCl3 in grandi volumi, che offrono una durata utile 5-10 volte superiore rispetto al quarzo.
Opinione degli esperti: per processi che superano i 1.380°C, consigliamo la nostra linea SiC sinterizzato. Tuttavia, per la stragrande maggioranza delle fasi di diffusione, ossidazione e LPCVD, SiSiC offre il rapporto prestazioni/durata più conveniente del settore.
Competenza sui materiali: Forniamo solo polvere alfa-SiC di elevata purezza e silicio di grado elettronico per il nostro processo di incollaggio a reazione.
Ingegneria di precisione: le nostre capacità di rettifica CNC consentono tolleranze delle fessure entro ±0,02 mm, riducendo le vibrazioni e la rottura dei wafer.
Sostenibilità e ROI: passando dal quarzo al SiSiC, le fabbriche in genere vedono una riduzione del 40% nella spesa annuale per i materiali di consumo a causa della frequenza di sostituzione significativamente ridotta.
Ogni imbarcazione che spediamo è accompagnata da un Certificato di Conformità (CoC) e da un rapporto di ispezione dimensionale completo, garantendo che il kit di processo sia pronto per l'installazione immediata nella camera bianca.