Sistema epi a cilindro riscaldato induttivamente per epitassia LPE

Il sistema Semicorex a botte riscaldata induttivamente Epi per epitassia LPE è la scelta perfetta per le applicazioni di produzione di semiconduttori che richiedono un'eccezionale distribuzione del calore e conducibilità termica. Il suo rivestimento SiC ad alta purezza e la densità superiore forniscono proprietà di protezione e distribuzione del calore superiori, garantendo prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti più difficili.

In Semicorex, ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro sistema Epi a cilindro riscaldato induttivamente per l'epitassia LPE ha un prezzo vantaggioso ed è esportato in molti mercati europei e americani. Miriamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.

Parametri del sistema Epi a botte riscaldata induttivamente per l'epitassia LPE

Caratteristiche del sistema Epi a cilindro riscaldato induttivamente per l'epitassia LPE

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.