Sistema Epi a canna riscaldata induttivamente

Se hai bisogno di un suscettore in grafite con eccezionali proprietà di conduttività termica e distribuzione del calore, non cercare oltre il sistema Epi a barile riscaldato a induzione Semicorex. Il suo rivestimento SiC ad elevata purezza fornisce una protezione superiore in ambienti corrosivi e ad alta temperatura, rendendolo la scelta ideale per l'uso in applicazioni di produzione di semiconduttori.

Invia richiesta

Descrizione del prodotto

Il sistema Epi a barile riscaldato a induzione Semicorex è la scelta perfetta per le applicazioni di produzione di semiconduttori che richiedono un'eccezionale distribuzione del calore e conduttività termica. Il rivestimento SiC di elevata purezza e la densità superiore forniscono proprietà di protezione e distribuzione del calore superiori, garantendo prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti più difficili.
Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro sistema Epi a botte riscaldato a induzione ha un vantaggio in termini di prezzo e viene esportato in molti mercati europei e americani. Puntiamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.

Parametri del sistema Epi a botte riscaldato induttivamente

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del sistema Epi a canna riscaldata a induzione

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.