Il braccio robotico in ceramica SiC è la parte ceramica in carburo di silicio di vitale importanza, appositamente progettata per la movimentazione e il posizionamento preciso dei wafer semiconduttori. Con le sue prestazioni straordinarie e la lunga durata, il braccio robotico in ceramica SiC è in grado di garantire un funzionamento stabile ed efficace nel processo avanzato di produzione di semiconduttori.
Ceramica SiCbraccio roboticoviene utilizzato in molteplici processi di produzione di wafer semiconduttori, svolgendo un ruolo importante nel garantire la qualità e l'efficienza della fabbricazione dei wafer. Viene comunemente installato all'interno e all'esterno delle camere di varie apparecchiature front-end per semiconduttori, come macchine per incisione, apparecchiature per deposizione, macchine per litografia, apparecchiature per la pulizia, partecipando direttamente alla movimentazione e al posizionamento dei wafer semiconduttori.
I wafer semiconduttori sono facilmente contaminati da particelle, quindi i relativi processi di produzione vengono eseguiti principalmente in apparecchiature per semiconduttori pulite e sotto vuoto. Nel funzionamento reale, in quanto componente essenziale di tali apparecchiature, il braccio robotico in ceramica SiC entra in contatto diretto con i wafer semiconduttori e deve inoltre soddisfare requisiti di pulizia estremamente elevati. Il braccio robotico ceramico SiC di Semicorex è realizzato in ceramica al carburo di silicio ad alte prestazioni seguita da un trattamento di finitura superficiale e pulizia di precisione, in grado di soddisfare con precisione i severi requisiti della produzione di semiconduttori in termini di pulizia e planarità della superficie. Ciò contribuisce in modo significativo a ridurre i difetti dei wafer e a migliorare la resa della produzione dei wafer.
Ceramica SiCil braccio robotico è l'opzione ottimale per le procedure di trattamento termico come ricottura, ossidazione e diffusione. Grazie all'eccezionale stabilità termica e alla superiore resistenza agli shock termici dei materiali in carburo di silicio, il braccio robotico in ceramica SiC è in grado di funzionare in modo affidabile per periodi di tempo prolungati in condizioni di alta temperatura. Può resistere all'influenza dell'espansione termica e preservare la sua integrità strutturale sotto stress termico, garantendo così la precisione costante del posizionamento del wafer.
Grazie alla sua robusta resistenza ai gas e ai liquidi corrosivi, il braccio robotico in ceramica SiC può mantenere stabilmente le sue prestazioni anche se esposto ad atmosfere di processo corrosive aggressive come l'incisione, la deposizione di film sottile e l'impianto di ioni. Queste prestazioni di resistenza alla corrosione migliorano l'efficienza della produzione di wafer semiconduttori riducendo efficacemente il rischio di danni ai componenti legati alla corrosione e riducendo la necessità di frequenti sostituzioni e manutenzioni.