Il disco ceramico PBN di Semicorex è sintetizzato attraverso un complesso processo di deposizione chimica in fase vapore (CVD), utilizzando tricloruro di boro (BCl3) e ammoniaca (NH3) a temperature elevate e basse pressioni. Questo metodo di sintesi dà come risultato un materiale di eccezionale purezza e integrità strutturale, che lo rende indispensabile per una varietà di applicazioni nell'industria dei semiconduttori.**
Uno dei vantaggi più significativi del disco ceramico PBN è la sua purezza notevolmente elevata. La purezza dei materiali gassosi utilizzati nel processo di sintesi (BCl3 + NH3 -> BN + HCl) supera di gran lunga quella delle polveri di nitruro di boro convenzionali. Di conseguenza, il disco ceramico PBN raggiunge un livello di purezza del 99,99%, con impurità totali inferiori a 100 parti per milione (ppm). Questa purezza eccezionale è fondamentale nella produzione di semiconduttori, dove anche la minima contaminazione può portare a difetti nei componenti elettronici. Garantendo una purezza così elevata, il disco ceramico PBN riduce al minimo il rischio di contaminazione, migliorando così l'affidabilità e le prestazioni dei dispositivi a semiconduttore.
Il processo CVD impiegato nella produzione del disco ceramico PBN gli conferisce una struttura a strati quasi perfetta. Questa struttura unica facilita la conduttività termica anisotropa, una proprietà estremamente vantaggiosa per i componenti utilizzati nei forni e nei sistemi a vuoto. La conduttività termica anisotropa consente al disco ceramico PBN di gestire in modo efficace la distribuzione del calore, garantendo un controllo uniforme della temperatura su tutta la superficie del disco. Questa funzionalità è essenziale nei processi di produzione di semiconduttori che richiedono una gestione termica precisa per prevenire gradienti termici che potrebbero portare a guasti o inefficienze dei componenti.
In termini di resistenza termica, il disco ceramico PBN si distingue come materiale esemplare. Può resistere a temperature fino a 1800°C in ambienti sottovuoto e 2000°C in azoto, senza presentare punto di fusione. Questa straordinaria stabilità termica lo rende la scelta ideale per componenti di forni e recipienti di fusione, dove le temperature estreme sono una parte operativa di routine. La capacità di mantenere l'integrità strutturale a temperature così elevate garantisce longevità e affidabilità, riducendo la necessità di sostituzioni frequenti e abbassando così i costi operativi complessivi.
L'inerzia chimica è un altro segno distintivo del disco ceramico PBN. È resistente alle reazioni con un'ampia gamma di sostanze, inclusi acidi, alcali, solventi organici, metalli fusi e grafite. Questa inerzia è particolarmente vantaggiosa nella produzione di semiconduttori, dove l'esposizione a sostanze reattive è comune. Rimanendo non reattivo, il disco ceramico PBN evita interazioni chimiche indesiderate che potrebbero compromettere l'integrità e la funzionalità dei componenti semiconduttori.
Le applicazioni del disco ceramico PBN nell'industria dei semiconduttori sono diverse e di grande impatto. Le sue proprietà lo rendono un materiale ideale per l'uso in vari ambienti ad alta temperatura e elevata purezza. Nei processi di crescita epitassiale, ad esempio, il disco funge da componente cruciale nei sistemi di deposizione, dove la sua purezza e conduttività termica garantiscono la produzione di strati semiconduttori di alta qualità. Inoltre, nella fabbricazione di LED e altri dispositivi optoelettronici, il disco ceramico PBN fornisce una piattaforma stabile e affidabile che supporta i complessi processi necessari per ottenere prestazioni ottimali del dispositivo.
Inoltre, il ruolo di PBN Ceramic Disc si estende alla produzione di dispositivi elettronici di potenza. Questi dispositivi spesso funzionano a temperature elevate e richiedono materiali in grado di mantenere le prestazioni in tali condizioni. Le eccellenti proprietà termiche e chimiche del disco ceramico PBN lo rendono una scelta adatta per substrati e altri componenti all'interno di sistemi elettronici di potenza, contribuendo all'efficienza e alla durata di questi dispositivi.
Strutture del nitruro di boro