Ricevitore multitasca SiC

La base del Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor è la grafite isotropa ad altissima purezza, rinomata per la sua stabilità termica e resistenza allo shock termico. Questo materiale di base è ulteriormente migliorato attraverso l'applicazione di un rivestimento SiC depositato CVD meticolosamente controllato. Questa combinazione offre una sinergia unica di proprietà:

Resistenza chimica senza pari:Lo strato superficiale di SiC mostra un'eccezionale resistenza all'ossidazione, alla corrosione e agli attacchi chimici anche a temperature elevate inerenti ai processi di crescita epitassiale. Questa inerzia garantisce che il SiC Multi Pocket Susceptor mantenga l'integrità strutturale e la qualità della superficie, riducendo al minimo il rischio di contaminazione e garantendo una durata operativa estesa.

Eccezionale stabilità termica e uniformità:La stabilità intrinseca della grafite isotropa, abbinata al rivestimento uniforme in SiC, garantisce una distribuzione uniforme del calore su tutta la superficie del suscettore. Questa uniformità è fondamentale per ottenere profili di temperatura omogenei sul wafer durante l'epitassia, traducendosi direttamente in una crescita dei cristalli e in un'uniformità della pellicola superiori.

Maggiore efficienza del processo:La robustezza e la longevità del SiC Multi Pocket Susceptor contribuiscono ad aumentare l'efficienza del processo. La riduzione dei tempi di inattività per la pulizia o la sostituzione si traduce in una produttività più elevata e in un costo di proprietà complessivo inferiore, fattori cruciali negli ambienti esigenti di fabbricazione di semiconduttori.

Le proprietà superiori del Susceptor SiC Multi Pocket si traducono direttamente in vantaggi tangibili nella fabbricazione di wafer epitassiali:

Qualità dei wafer migliorata:La migliore uniformità della temperatura e l'inerzia chimica contribuiscono a ridurre i difetti e migliorare la qualità dei cristalli nello strato epitassiale. Ciò si traduce direttamente in prestazioni e rendimento migliori dei dispositivi a semiconduttore finali.

Aumento delle prestazioni del dispositivo:La capacità di ottenere un controllo preciso sui profili di drogaggio e sugli spessori degli strati durante l'epitassia è fondamentale per ottimizzare le prestazioni del dispositivo. La piattaforma stabile e uniforme fornita dal SiC Multi Pocket Susceptor consente ai produttori di ottimizzare le caratteristiche del dispositivo per applicazioni specifiche.

Abilitazione delle applicazioni avanzate:Mentre l’industria dei semiconduttori si spinge verso geometrie di dispositivi più piccole e architetture più complesse, la domanda di wafer epitassiali ad alte prestazioni continua ad aumentare. Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor svolge un ruolo cruciale nel consentire questi progressi fornendo la piattaforma necessaria per una crescita epitassiale precisa e ripetibile.