2023-06-19
Il silicio su isolante (SOI) è riconosciuto come una delle soluzioni per sostituire i materiali di silicio monocristallino esistenti nell'era della nanotecnologia ed è uno strumento importante per mantenere la tendenza della legge di Moore. Il silicio su isolante, una tecnologia di substrato che sostituisce il tradizionale substrato di silicio sfuso con un substrato "ingegnerizzato", è stato utilizzato per più di 30 anni in applicazioni specializzate come i sistemi elettronici militari e spaziali, dove SOI ha vantaggi unici grazie alla sua eccellente resistenza alle radiazioni e caratteristiche ad alta velocità.
I materiali SOI sono la base per lo sviluppo della tecnologia SOI e lo sviluppo della tecnologia SOI dipende dal continuo progresso dei materiali SOI. La mancanza di materiali SOI a basso costo e di alta qualità è stato il limite principale per la tecnologia SOI per entrare nella produzione industriale su larga scala. Negli ultimi anni, con la maturità della tecnologia di preparazione del materiale SOI, il problema materiale che limita lo sviluppo della tecnologia SOI viene gradualmente risolto, che alla fine include due tipi di tecnologia di preparazione del materiale SOI, ovvero l'impianto Speration-by-oxygen (SIMOX) e tecnologia di incollaggio. La tecnologia di incollaggio include la tradizionale tecnologia Bond and Etch back (BESOI) e la tecnologia Smart-cut che combina l'iniezione di ioni idrogeno e l'incollaggio proposta da M. Bruel, uno dei fondatori di SOITEC in Francia, nonché la preparazione del materiale Simbond SOI che combina isolamento e incollaggio dell'ossigeno proposto dal Dr. Meng Chen nel 2005. La nuova tecnologia combina l'isolamento e l'incollaggio dell'iniezione di ossigeno.