Semicorex SiC Coated Plate Carriers per MOCVD è un carrier di alta qualità progettato per l'uso nel processo di produzione di semiconduttori. La sua elevata purezza, l'eccellente resistenza alla corrosione e persino il profilo termico lo rendono una scelta eccellente per coloro che cercano un supporto in grado di resistere alle esigenze del processo di produzione dei semiconduttori.
I nostri portapiatti rivestiti in SiC per MOCVD sono caratterizzati da un'elevata purezza, il che li rende una scelta eccellente per coloro che cercano un portapiatti altamente uniforme e coerente nelle sue proprietà.
I nostri portapiatti rivestiti in SiC per MOCVD sono realizzati con un rivestimento in carburo di silicio ad alta purezza su grafite, che lo rende altamente resistente all'ossidazione ad alte temperature fino a 1600°C. Il processo di deposizione chimica da vapore CVD utilizzato nella sua produzione garantisce un'elevata purezza e un'eccellente resistenza alla corrosione. È altamente resistente alla corrosione, con una superficie densa e particelle fini, che lo rendono resistente ad acidi, alcali, sale e reagenti organici. La sua resistenza all'ossidazione ad alta temperatura garantisce stabilità alle alte temperature fino a 1600°C.
Parametri dei portapiatti rivestiti in SiC per MOCVD
Principali specifiche del rivestimento CVD-SIC |
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Proprietà SiC-CVD |
||
Struttura di cristallo |
FCC fase β |
|
Densità |
g/cm³ |
3.21 |
Durezza |
Durezza Vickers |
2500 |
Granulometria |
μm |
2~10 |
Purezza chimica |
% |
99.99995 |
Capacità termica |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura di sublimazione |
℃ |
2700 |
Resistenza alla flessione |
MPa (RT 4 punti) |
415 |
Modulo di Young |
Gpa (curva 4pt, 1300℃) |
430 |
Espansione termica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conduttività termica |
(W/mK) |
300 |
Caratteristiche del suscettore in grafite rivestito di SiC per MOCVD
- Evitare di staccarsi e garantire il rivestimento su tutta la superficie
Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura: Stabile ad alte temperature fino a 1600°C
Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica da vapore CVD in condizioni di clorurazione ad alta temperatura.
Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.
Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
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- Garantire l'uniformità del profilo termico
- Prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità