Suscettore cilindrico rivestito in SiC per la crescita epitassiale

Il suscettore cilindrico rivestito in SiC Semicorex per la crescita epitassiale è la scelta perfetta per la formazione di strati epissiali su wafer semiconduttori, grazie alle sue eccellenti proprietà di conduttività termica e distribuzione del calore. Il rivestimento in carburo di silicio fornisce una protezione superiore anche negli ambienti corrosivi e ad alta temperatura più esigenti.

Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro suscettore cilindrico rivestito in SiC per la crescita epitassiale ha un vantaggio in termini di prezzo e viene esportato in molti mercati europei e americani. Puntiamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.

Parametri del suscettore cilindrico rivestito in SiC per la crescita epitassiale

Caratteristiche del suscettore cilindrico rivestito in SiC per la crescita epitassiale

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.