Porta wafer

Il supporto per wafer Semicorex è ingegnosamente progettato con un nucleo realizzato in grafite di elevata purezza e meticolosamente rivestito con carburo di silicio (SiC) per soddisfare i severi requisiti delle apparecchiature per epitassia in fase liquida (LPE). La sua costruzione e la selezione dei materiali sono assolutamente cruciali per mantenere l'integrità dei wafer durante i processi ad alta temperatura inerenti alla fabbricazione dei semiconduttori.

Il supporto per wafer in grafite rivestito in SiC dimostra un'eccezionale resistenza all'usura, una caratteristica vitale per mantenere le dimensioni precise e la qualità della superficie richieste per una gestione ottimale dei wafer. Nei processi LPE, l'integrità della superficie del supporto wafer è fondamentale, poiché qualsiasi degrado o irregolarità potrebbe provocare difetti nel wafer, con conseguenti rendimenti inferiori e aumento degli sprechi. Il rivestimento SiC garantisce che il supporto per wafer mantenga una superficie liscia e stabile per cicli ripetuti, contribuendo all'affidabilità e alla coerenza complessive del processo di epitassia.

Inoltre, il rivestimento SiC migliora le prestazioni termiche del supporto per wafer. L'elevata conduttività termica del carburo di silicio garantisce una distribuzione uniforme del calore attraverso il wafer durante il processo di epitassia, fondamentale per prevenire gradienti termici che potrebbero causare deformazioni o rotture dei wafer. Ciò garantisce che i prodotti finali soddisfino i rigorosi standard di qualità richiesti nella produzione di semiconduttori. La combinazione delle proprietà termiche intrinseche della grafite con i vantaggi aggiuntivi del rivestimento SiC crea un supporto per wafer in grado di resistere agli ambienti termici più difficili.

Il design del supporto per wafer è ottimizzato per la sua applicazione in apparecchiature LPE. Il supporto per wafer è lavorato con precisione per accogliere i wafer in modo sicuro, riducendo al minimo il rischio di movimento o disallineamento durante il processo di epitassia. Questa precisione è fondamentale, poiché anche il minimo spostamento nella posizione del wafer può portare a una deposizione non uniforme, influenzando le prestazioni dei dispositivi a semiconduttore fabbricati. Il supporto per wafer in grafite rivestito in SiC fornisce la stabilità necessaria, garantendo che i wafer rimangano nella posizione corretta durante l'intero processo.

                                                        Struttura LEP, da LPE