Barilotto SiC per epitassia del silicio

Il cilindro Semicorex SiC per l'epitassia del silicio è costruito utilizzando materiale di grafite rivestito con carburo di silicio (SiC). Questa costruzione unica garantisce un'eccellente resistenza agli shock termici e alla degradazione chimica, prolungando la durata del suscettore e mantenendo l'affidabilità del processo.

Il rivestimento SiC avanzato sul cilindro SiC per epitassia al silicio fornisce conduttività termica e distribuzione del calore superiori, promuovendo profili di temperatura uniformi in tutto il suscettore. Ciò migliora il controllo del processo, riduce al minimo i gradienti termici e garantisce una crescita coerente dello strato epitassiale, ottenendo pellicole di silicio di alta qualità con uniformità e purezza eccezionali.

Il nostro cilindro SiC per epitassia al silicio può essere personalizzato per soddisfare requisiti e preferenze specifici. Dalle regolazioni delle dimensioni alle variazioni dello spessore del rivestimento, offriamo flessibilità nella progettazione per soddisfare vari parametri di processo e ottimizzare le prestazioni per applicazioni specifiche.

Il nostro cilindro SiC per epitassia al silicio offre affidabilità e longevità, riducendo i tempi di fermo e i costi di manutenzione associati a frequenti sostituzioni. La sua struttura robusta e le prestazioni eccezionali contribuiscono a migliorare l'efficienza del processo, migliorando in definitiva la produttività e il rapporto costo-efficacia per le operazioni di produzione di semiconduttori.