Portawafer SiC RTA

La ricottura termica rapida è una tecnica di trattamento termico ampiamente utilizzata nella produzione di semiconduttori. Utilizzando lampade a infrarossi alogene come fonte di calore, riscalda rapidamente wafer o materiali semiconduttori a temperature comprese tra 300 ℃ e 1200 ℃ con una velocità di riscaldamento estremamente rapida, seguita da un rapido raffreddamento. Il rapido processo di ricottura termica può eliminare lo stress residuo e i difetti all'interno dei wafer e dei materiali semiconduttori, migliorando la qualità e le prestazioni del materiale. I supporti per wafer RTA SiC sono il componente di trasporto indispensabile ampiamente utilizzato nel processo RTA, che può supportare stabilmente i materiali wafer e semiconduttori durante il funzionamento e garantisce un effetto di trattamento termico coerente.

I vantaggi dei portawafer Semicorex RTA SiC

1. Resistenza meccanica e durezza superiori

I supporti per wafer SiC Semicorex RTA offrono un'eccellente resistenza meccanica e durezza e sono in grado di resistere a varie sollecitazioni meccaniche in condizioni RTA difficili pur rimanendo dimensionalmente stabili e durevoli. Grazie alla loro eccellente durezza, la superficie dei supporti per wafer RTA SiC è meno soggetta ai graffi, fornendo una superficie di supporto piatta e liscia che previene efficacemente i danni ai wafer causati dai graffi del supporto.

2. Eccezionale conduttività termica

I supporti per wafer Semicorex RTA SiC possiedono un'eccezionale conduttività termica, che consente loro di disperdere e condurre efficacemente il calore. Possono fornire un controllo preciso della temperatura durante la lavorazione termica rapida, riducendo significativamente il rischio di danni termici ai wafer e migliorando l'uniformità e la consistenza del processo di ricottura.

3. Eccezionale stabilità termica

Il carburo di silicio presenta un punto di fusione di circa 2700°C e mantiene un'eccezionale stabilità a temperature di funzionamento continuo di 1350–1600°C. Questo dà SemicorexPortawafer RTA SiCstabilità termica superiore per condizioni operative RTA ad alta temperatura. Inoltre, con il loro basso coefficiente di espansione termica, i supporti per wafer Semicorex RTA SiC possono evitare crepe o danni causati da espansione e contrazione termica non uniforme durante i cicli rapidi di riscaldamento e raffreddamento.

4. Eccellenti prestazioni a bassa contaminazione

Prodotto con elevata purezza accuratamente selezionatacarburo di silicio, I supporti per wafer SiC Semicorex RTA presentano un basso contenuto di impurità. Grazie alla loro notevole resistenza chimica, i supporti per wafer Semicorex RTA SiC sono in grado di evitare la corrosione dei gas di processo durante la rapida ricottura termica, riducendo così al minimo la contaminazione dei wafer causata dai reagenti e soddisfacendo i severi requisiti di pulizia dei processi di produzione dei semiconduttori.