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Durevole suscettore a barilotto rivestito in SiC per LPE

Durevole suscettore a barilotto rivestito in SiC per LPE

Con la sua eccellente densità e conduttività termica, il suscettore a barilotto con rivestimento SiC durevole Semicorex per LPE è la scelta ideale per l'uso nei processi LPE e in altre applicazioni di produzione di semiconduttori. Il suo rivestimento SiC ad alta purezza offre proprietà di protezione e distribuzione del calore superiori, rendendolo la scelta ideale per risultati affidabili e costanti.

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Descrizione del prodotto

Se avete bisogno di un suscettore in grafite di alta qualità con una resistenza superiore al calore e alla corrosione, non cercate oltre il suscettore semicorex con rivestimento in SiC durevole per LPE. Il suo rivestimento in carburo di silicio fornisce un'eccezionale conduttività termica e distribuzione del calore, garantendo prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti ad alta temperatura più esigenti.

Il nostro durevole suscettore a barilotto rivestito in SiC per LPE è progettato per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Questo aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip del wafer.

Contattateci oggi per saperne di più sul nostro suscettore a barilotto con rivestimento SiC durevole per LPE.


Parametri del suscettore del barilotto rivestito di SiC durevole per LPE

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura di cristallo

FCC fase β

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

μm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Resistenza alla flessione

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curva 4pt, 1300℃)

430

Espansione termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche del resistente suscettore a barilotto rivestito di SiC per LPE

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.




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