Suscettore planetario ALD

Applicazioni:

Deposizione dielettrica ad alto k: Il suscettore planetario ALD mostra un'eccellente resistenza ai precursori aggressivi utilizzati nella deposizione di materiali dielettrici ad alto valore k come l'ossido di afnio (HfO2) e l'ossido di alluminio (Al2O3). Ciò rende il suscettore planetario ALD adatto alla fabbricazione di transistor ad alte prestazioni per applicazioni logiche e di memoria.

Strati di metallizzazione: La stabilità alle alte temperature del suscettore planetario ALD consente la deposizione di strati di metallizzazione a temperature elevate, portando a proprietà del film migliorate come resistività inferiore e densità più elevata. Ciò è fondamentale per creare interconnessioni efficienti nei dispositivi avanzati a semiconduttore.

Fabbricazione di dispositivi optoelettronici:La natura inerte del suscettore planetario ALD riduce al minimo le reazioni indesiderate con i precursori utilizzati nella deposizione di materiali sensibili come i semiconduttori III-V, rendendo il suscettore planetario ALD una soluzione perfetta per la produzione di LED, laser e altri componenti optoelettronici.

Ciclo ALD

Deposizione di strati atomici (ALD)offre numerosi vantaggi chiave rispetto ad altre tecniche di deposizione di film sottile, rendendola sempre più popolare per varie applicazioni, in particolare nella microelettronica e nelle nanotecnologie.

Ecco alcuni dei principali vantaggi dell’ALD:

1. Controllo dello spessore a livello di Angstrom:

L'ALD consente un controllo preciso dello spessore del film fino al livello di angstrom (0,1 nanometri). Questo livello di precisione è raggiunto attraverso le reazioni superficiali autolimitanti, in cui ogni ciclo deposita un singolo strato atomico.

2. Uniformità e conformità eccellenti:

L'ALD mostra un'uniformità eccezionale su ampie superfici e strutture 3D complesse, comprese caratteristiche con proporzioni elevate come trincee e vias. Ciò è fondamentale per le applicazioni che richiedono rivestimenti uniformi su geometrie complesse, come nei dispositivi a semiconduttore.

3. Bassa temperatura di deposizione:

L'ALD può essere eseguita a temperature relativamente basse (spesso inferiori a 300°C) rispetto ad altre tecniche di deposizione. Ciò è vantaggioso per i substrati sensibili al calore e consente l'uso di una gamma più ampia di materiali.

4. Film di alta qualità:

L'ALD produce tipicamente film con densità eccellente, bassi livelli di impurità ed elevata uniformità nella composizione e nello spessore. Queste caratteristiche sono essenziali per ottenere prestazioni ottimali in varie applicazioni.

5. Ampia selezione di materiali:

ALD offre un'ampia selezione di materiali che possono essere depositati, inclusi ossidi, nitruri, metalli e solfuri. Questa versatilità lo rende adatto ad una vasta gamma di applicazioni.

6. Scalabilità e applicabilità industriale:

La tecnologia ALD è altamente scalabile e può essere facilmente integrata nei processi di produzione esistenti. È compatibile con varie dimensioni e forme di substrati, rendendolo adatto alla produzione di volumi elevati.