GaN contro SiC

Ci sono diversi materiali attualmente sotto indagine, tra cuicarburo di siliciosi distingue come uno dei più promettenti. Simile aGaN, vanta tensioni operative più elevate, tensioni di rottura più elevate e conduttività superiore rispetto al silicio. Inoltre, grazie alla sua elevata conducibilità termica,carburo di siliciopuò essere utilizzato in ambienti con temperature estreme. Infine, è significativamente più piccolo nelle dimensioni ma in grado di gestire una potenza maggiore.

SebbeneSiCè un materiale adatto per amplificatori di potenza, non è adatto per applicazioni ad alta frequenza. D'altra parte,GaNè il materiale preferito per la costruzione di piccoli amplificatori di potenza. Tuttavia, gli ingegneri hanno dovuto affrontare una sfida durante la combinazioneGaNcon transistor MOS al silicio di tipo P, poiché ne limitava la frequenza e l'efficienzaGaN. Anche se questa combinazione offriva capacità complementari, non rappresentava la soluzione ideale al problema.

Con l'avanzare della tecnologia, i ricercatori potrebbero eventualmente trovare dispositivi GaN di tipo P o dispositivi complementari che utilizzano tecnologie diverse con cui è possibile combinarsiGaN. Fino a quel giorno, però,GaNcontinuerà ad essere limitato dalla tecnologia del nostro tempo.

L'avanzamento diGaNla tecnologia richiede uno sforzo di collaborazione tra scienza dei materiali, ingegneria elettrica e fisica. Questo approccio interdisciplinare è necessario per superare gli attuali limiti delGaNtecnologia. Se riuscissimo a fare passi avanti nello sviluppo del GaN di tipo P o a trovare materiali complementari adeguati, non solo miglioreremo le prestazioni dei dispositivi basati su GaN, ma contribuiremo anche al campo più ampio della tecnologia dei semiconduttori. Ciò potrebbe aprire la strada a sistemi elettronici più efficienti, compatti e affidabili in futuro.