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Suscettore planetario rivestito in TaC

Suscettore planetario rivestito in TaC

Il suscettore planetario rivestito in TaC Semicorex è un componente altamente specializzato progettato per l'uso nei processi epitassiali della produzione di semiconduttori. Semicorex si impegna a fornire prodotti di alta qualità a prezzi competitivi. Siamo ansiosi di stabilire una partnership a lungo termine con voi in Cina.*

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Descrizione del prodotto

Il suscettore planetario rivestito in TaC Semicorex svolge un ruolo significativo nel garantire la qualità e l'efficienza della produzione di wafer semiconduttori. Realizzato in grafite e rivestito con carburo di tantalio (TaC), il suscettore planetario rivestito in TaC offre caratteristiche prestazionali eccezionali che soddisfano i requisiti esigenti della moderna fabbricazione di semiconduttori.


Il suscettore planetario rivestito in TaC Semicorex è realizzato in grafite di elevata purezza scelta per le sue eccezionali proprietà termiche, resistenza meccanica e resistenza allo shock termico. Il suscettore in grafite è ulteriormente migliorato da un rivestimento in carburo di tantalio (TaC), noto per la sua eccezionale durezza, l'elevato punto di fusione e l'eccezionale resistenza chimica. Il rivestimento TaC agisce come uno strato protettivo, proteggendo la grafite dai gas di processo corrosivi e dagli ambienti chimici aggressivi incontrati durante la crescita epitassiale. L'elevata durezza del TaC aumenta inoltre la durata del suscettore, riducendone l'usura ed estendendone la durata operativa.


Il suscettore planetario rivestito in TaC fornisce una piattaforma stabile e uniforme per la deposizione di strati epitassiali su wafer semiconduttori. Il design planetario del suscettore consente una distribuzione precisa e uniforme del calore sulla superficie del wafer. Questo riscaldamento uniforme è fondamentale per ottenere strati epitassiali coerenti e di alta qualità, essenziali per le prestazioni dei dispositivi a semiconduttore. La capacità del suscettore planetario rivestito in TaC di mantenere una distribuzione uniforme della temperatura aiuta a ridurre al minimo i difetti e garantisce l'integrità degli strati epitassiali.


Oltre alle sue proprietà termiche e chimiche, il suscettore planetario rivestito in TaC è progettato per ottimizzare il processo di crescita epitassiale. La sua progettazione tiene conto di fattori quali la dinamica del flusso di gas, la conduttività termica e la stabilità meccanica. La superficie del suscettore viene accuratamente lavorata secondo specifiche precise, garantendo un'interazione ottimale con i gas di processo e promuovendo un'efficiente deposizione dei materiali sul wafer. Questa attenzione ai dettagli nel processo di progettazione e produzione si traduce in prestazioni e affidabilità superiori nella produzione di semiconduttori.


Il suscettore planetario rivestito in TaC Semicorex è un componente vitale nel processo di crescita epitassiale della produzione di semiconduttori. La combinazione di grafite di elevata purezza e rivestimento in carburo di tantalio fornisce eccezionali proprietà termiche, chimiche e meccaniche. Il design del suscettore garantisce un riscaldamento uniforme e un'efficiente deposizione del materiale, portando a strati epitassiali di alta qualità e prestazioni migliorate del dispositivo a semiconduttore. Grazie alla sua durabilità, coerenza e vantaggi economici, il suscettore planetario rivestito in TaC si distingue come un fattore chiave per la fabbricazione avanzata di semiconduttori, supportando la ricerca di innovazione ed eccellenza da parte del settore.


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