Suscettori Epi-Wafer SiC

Non è possibile produrre semiconduttori WBG (Wide Band Gap), essenziali per la rivoluzione dei veicoli elettrici (EV) e del 5G, senza stabilire le proprietà ideali del materiale attraverso la crescita epitassiale. I suscettori Epi-Wafer SiC Semicorex sono stati progettati per essere utilizzati come base (termica/strutturale) per l'epitassia SiC e GaN. La combinazione digrafite isostatica(eccellente conduttività termica) con carburo di silicio depositato da vapore chimico (CVD) (estrema resistenza chimica) ottiene un kit di processo che consente la massima resa e ripetibilità possibili.

Progettare l'ambiente termico "perfetto".

Per ottenere temperature di crescita epitassiali adeguate (oltre 1.500°C) in un'atmosfera satura di gas precursori reattivi e corrosivi, un supporto di grafite convenzionale verrebbe degradato all'esposizione e quindi contaminerebbe il wafer. Tuttavia, i suscettori Epi-Wafer SiC sviluppati da Semicorex hanno raggiunto una soluzione tramite l'integrazione avanzata dei materiali per fornire al processo epitassia una base stabile per migliaia di ore di processo.

1. Uniformità termica superiore

Il ruolo principale di un suscettore è quello di fungere da diffusore di calore. Il nostro nucleo in grafite isostatica ad elevata purezza fornisce un campo termico uniforme su tutta la superficie del wafer. Ciò riduce al minimo i "punti caldi" che causano variazioni nello spessore dello strato epi e nella concentrazione del drogante. Nel mondo dell'elettronica di potenza, dove la coerenza RDS(on) è fondamentale, i nostri suscettori forniscono la precisione termica richiesta per l'uniformità inferiore al micron.

2. Incapsulamento ermetico CVD SiC

Utilizziamo un processo CVD all'avanguardia per applicare un rivestimento denso e ultrapuro di carburo di silicio. Questo strato non è solo una copertura; è un sigillo ermetico.

Soppressione delle particelle: il rivestimento impedisce al substrato di grafite di "spolverare" o rilasciare impurità come boro o tracce metalliche nella camera di reazione.

Inerzia chimica: nsRivestimento SiCè impermeabile all'attacco di H2, HCl e ammoniaca (NH3), comuni nei reattori MOCVD e SiC Epitaxy.

3. Corrispondenza CTE di precisione

Uno dei punti di guasto più comuni nell'hardware rivestito è la delaminazione dovuta al ciclo termico. Selezioniamo specificamente i gradi di grafite con un coefficiente di dilatazione termica (CTE) perfettamente sincronizzato con ilRivestimento SiC. Questa "armonia di espansione" consente ai suscettori Epi-Wafer SiC di sopportare rapidi cicli di accelerazione e decelerazione senza rompersi o staccarsi, estendendo la durata del componente fino al 300% rispetto alle alternative standard del settore.

Ottimizzato per piattaforme Reactor globali

Il nostro team di ingegneri ha una vasta esperienza nella progettazione di suscettori per configurazioni di reattori sia orizzontali che verticali. Forniamo sostituzioni immediate e soluzioni progettate su misura per i principali sistemi OEM del settore (comprese le piattaforme AIXTRON, Veeco e Tokyo Electron).

Che tu stia utilizzando un reattore planetario o uno strumento a wafer singolo, i nostri suscettori sono ottimizzati per:

Dinamica del flusso di gas:Tasche lavorate con precisione per garantire il flusso laminare attraverso il wafer.

Rotazione del wafer:Rapporti peso-attrito ottimizzati per una rotazione stabile e ad alta velocità durante la crescita.

Movimentazione automatizzata:Bordi rinforzati per resistere allo stress meccanico del trasferimento robotico dei wafer.