Barrel Susceptor Epi System per epitassia LPE

Semicorex Barrel Susceptor Epi System per LPE L'epitassia è un prodotto di alta qualità che offre un'adesione del rivestimento superiore, elevata purezza e resistenza all'ossidazione ad alta temperatura. Il suo profilo termico uniforme, il modello di flusso laminare del gas e la prevenzione della contaminazione lo rendono una scelta ideale per la crescita degli strati epissiali sui chip di wafer. La sua economicità e personalizzazione lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.

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Descrizione del prodotto

Il nostro Barrel Susceptor Epi System per LPE Epitaxy è un prodotto altamente innovativo che offre eccellenti prestazioni termiche, profilo termico uniforme e adesione del rivestimento superiore. La sua elevata purezza, la resistenza all'ossidazione ad alta temperatura e la resistenza alla corrosione lo rendono un prodotto altamente affidabile per l'uso nell'industria dei semiconduttori. La sua prevenzione di contaminazioni e impurità e la bassa necessità di manutenzione ne fanno un prodotto altamente competitivo sul mercato.

In Semicorex, ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro Barrel Susceptor Epi System per l'epitassia LPE ha un prezzo vantaggioso ed è esportato in molti mercati europei e americani. Miriamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.

Contattateci oggi per saperne di più sul nostro sistema Epi suscettore barilotto per l'epitassia LPE.

Parametri del sistema Epi suscettore barilotto per epitassia LPE

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche di Barrel Susceptor Epi System per epitassia LPE

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.