Sistema Epi ricevitore a canna

Semicorex Barrel Susceptor Epi System è un prodotto di alta qualità che offre un'adesione superiore del rivestimento, elevata purezza e resistenza all'ossidazione alle alte temperature. Il suo profilo termico uniforme, il modello di flusso di gas laminare e la prevenzione della contaminazione lo rendono la scelta ideale per la crescita degli strati epissiali sui chip wafer. La sua convenienza e la possibilità di personalizzazione lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.

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Descrizione del prodotto

Il nostro Barrel Susceptor Epi System è un prodotto altamente innovativo che offre eccellenti prestazioni termiche, un profilo termico uniforme e un'adesione superiore del rivestimento. L'elevata purezza, la resistenza all'ossidazione ad alta temperatura e la resistenza alla corrosione lo rendono un prodotto altamente affidabile per l'uso nell'industria dei semiconduttori. La sua prevenzione della contaminazione e delle impurità e le basse esigenze di manutenzione lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.
Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro sistema Epi System Barrel Susceptor ha un vantaggio in termini di prezzo e viene esportato in molti mercati europei e americani. Puntiamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.
Contattaci oggi per saperne di più sul nostro sistema Epi suscettore a barilotto.

Parametri del sistema Epi suscettore a canna

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del sistema Epi suscettore a canna

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.