Processo CVD per epitassia wafer SiC

Il processo CVD per l'epitassia del wafer di SiC prevede la deposizione di film di SiC su un substrato di SiC utilizzando una reazione in fase gassosa. I gas precursori del SiC, tipicamente metiltriclorosilano (MTS) ed etilene (C2H4), vengono introdotti in una camera di reazione in cui il substrato SiC viene riscaldato ad alta temperatura (di solito tra 1400 e 1600 gradi Celsius) in un'atmosfera controllata di idrogeno (H2) .

Suscettore Epi-wafer Barrel

Durante il processo CVD, i gas precursori di SiC si decompongono sul substrato di SiC, rilasciando atomi di silicio (Si) e di carbonio (C), che poi si ricombinano per formare un film di SiC sulla superficie del substrato. La velocità di crescita del film di SiC è tipicamente controllata regolando la concentrazione dei gas precursori di SiC, la temperatura e la pressione della camera di reazione.

Uno dei vantaggi del processo CVD per l'epitassia dei wafer SiC è la capacità di ottenere film SiC di alta qualità con un elevato grado di controllo sullo spessore, l'uniformità e il drogaggio del film. Il processo CVD consente inoltre la deposizione di film di SiC su substrati di grandi dimensioni con elevata riproducibilità e scalabilità, rendendola una tecnica conveniente per la produzione su scala industriale.