Halfmoon rivestito in TaC

Semicorex Halfmoon rivestito in TaC offre vantaggi convincenti nella crescita epitassiale del carburo di silicio (SiC) per l'elettronica di potenza e le applicazioni RF. Questa combinazione di materiali affronta le sfide critiche dell'epitassia del SiC, consentendo una maggiore qualità dei wafer, una migliore efficienza del processo e costi di produzione ridotti. Noi di Semicorex ci dedichiamo alla produzione e alla fornitura di Halfmoon rivestiti in TaC ad alte prestazioni che fondono la qualità con l'efficienza dei costi.**

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Descrizione del prodotto

Halfmoon semicorex rivestito in TaC mantiene la sua integrità strutturale e inerzia chimica alle temperature elevate (fino a 2200°C) richieste per l'epitassia del SiC. Ciò garantisce prestazioni termiche costanti e previene reazioni indesiderate con i gas di processo o i materiali di partenza. Inoltre, può essere progettato per ottimizzare la conduttività termica e l'emissività, promuovendo una distribuzione uniforme del calore sulla superficie del suscettore. Ciò porta a profili di temperatura del wafer più omogenei e a una migliore uniformità nello spessore dello strato epitassiale e nella concentrazione del drogante. Inoltre, il coefficiente di espansione termica dell’Halfmoon rivestito in TaC può essere personalizzato per corrispondere perfettamente a quello del SiC, riducendo al minimo lo stress termico durante i cicli di riscaldamento e raffreddamento. Ciò riduce l'incurvamento dei wafer e il rischio di formazione di difetti, contribuendo a una maggiore resa del dispositivo.

L'Halfmoon rivestito in TaC prolunga significativamente la durata dei suscettori in grafite rispetto alle alternative non rivestite/rivestite in SiC. La maggiore resistenza alla deposizione di SiC e alla degradazione termica riduce la frequenza dei cicli di pulizia e sostituzione, abbassando i costi di produzione complessivi.

Vantaggi per le prestazioni del dispositivo SiC:

Affidabilità e prestazioni migliorate del dispositivo:La migliore uniformità e la ridotta densità dei difetti negli strati epitassiali cresciuti sull'Halfmoon rivestito in TaC si traducono in rendimenti più elevati del dispositivo e prestazioni migliorate in termini di tensione di rottura, resistenza on e velocità di commutazione.

Soluzione economicamente vantaggiosa per la produzione di grandi volumi:La durata prolungata, i requisiti di manutenzione ridotti e la migliore qualità dei wafer contribuiscono a un processo di produzione più conveniente per i dispositivi di potenza SiC.

Halfmoon semicorex rivestito in TaC svolge un ruolo fondamentale nel progresso dell'epitassia del SiC affrontando le principali sfide legate alla compatibilità dei materiali, alla gestione termica e alla contaminazione del processo. Ciò consente la produzione di wafer SiC di qualità superiore, portando a dispositivi elettronici di potenza più efficienti e affidabili per applicazioni nei veicoli elettrici, nelle energie rinnovabili e in altri settori esigenti.