Recettore epitassia SiC

Realizzato con precisione e progettato per l'affidabilità, il suscettore epitassiale SiC presenta un'elevata resistenza alla corrosione, un'elevata conduttività termica, resistenza allo shock termico ed elevata stabilità chimica, che gli consente di funzionare efficacemente all'interno di un'atmosfera epitassiale. Pertanto, il suscettore epitassiale SiC è considerato un nucleo e componente cruciale nelle apparecchiature MOCVD. Semicorex si impegna a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

Il suscettore epitassiale SiC è un componente critico utilizzato nelle apparecchiature MOCVD per supportare e riscaldare substrati a cristallo singolo. I suoi parametri prestazionali superiori come la stabilità termica e l'uniformità termica svolgono un ruolo decisivo nella qualità della crescita del materiale epitassiale, garantendo elevati livelli di uniformità e purezza nei materiali a film sottile.

Il suscettore epitassiale SiC possiede un'eccellente densità, fornendo una protezione efficace in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura. Inoltre, il suo elevato livello di planarità superficiale soddisfa perfettamente i requisiti per la crescita di singoli cristalli sulla superficie del substrato.

Il coefficiente minimo delle differenze di dilatazione termica nel suscettore epitassiale SiC migliora significativamente la forza di legame tra il substrato epitassiale e il materiale di rivestimento, riducendo così la probabilità di fessurazione dopo aver subito cicli termici ad alta temperatura.

Allo stesso tempo, presenta un'elevata conduttività termica, facilitando una distribuzione rapida e uniforme del calore per la crescita dei trucioli. Inoltre, l'elevato punto di fusione, la resistenza alla temperatura, la resistenza all'ossidazione e la resistenza alla corrosione consentono un funzionamento stabile in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

In quanto componente cruciale all'interno della camera di reazione delle apparecchiature MOCVD, il suscettore epitassiale SiC deve possedere vantaggi quali resistenza alle alte temperature, conduttività termica uniforme, buona stabilità chimica e forte resistenza allo shock termico. Il suscettore epitassia Semicorex SiC soddisfa tutti questi requisiti.