Recettore dell'epitassia MOCVD

Il suscettore epitassia Semicorex MOCVD è emerso come un componente critico nell'epitassia della deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD), consentendo la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni con efficienza e precisione eccezionali. La sua combinazione unica di proprietà del materiale lo rende perfettamente adatto agli ambienti termici e chimici impegnativi incontrati durante la crescita epitassiale dei semiconduttori composti.**

Invia richiesta

Descrizione del prodotto

Vantaggi per applicazioni epitassia impegnative:

Purezza ultraelevata:IL MOCVD Epitaxy Susceptor è realizzato per raggiungere livelli di purezza ultra elevati, riducendo al minimo il rischio che impurità indesiderate vengano incorporate negli strati epitassiali in crescita. Questa purezza eccezionale è fondamentale per mantenere un'elevata mobilità dei portatori, ottenere profili di drogaggio ottimali e, in definitiva, realizzare dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni.

Eccezionale resistenza agli shock termici:Il suscettore epitassia MOCVD presenta una notevole resistenza allo shock termico, sopportando rapidi cambiamenti di temperatura e gradienti inerenti al processo MOCVD. Questa stabilità garantisce prestazioni costanti e affidabili durante le fasi critiche di riscaldamento e raffreddamento, riducendo al minimo il rischio di piegamento dei wafer, difetti indotti da stress e interruzioni del processo.

Resistenza chimica superiore:Il suscettore epitassia MOCVD dimostra un'eccezionale resistenza a un'ampia gamma di gas reattivi e sostanze chimiche utilizzate nel MOCVD, compresi i sottoprodotti corrosivi che possono formarsi a temperature elevate. Questa inerzia impedisce la contaminazione degli strati epitassiali e garantisce la purezza del materiale semiconduttore depositato, fondamentale per ottenere le proprietà elettriche e ottiche desiderate.

Disponibilità in Complx forme: Il suscettore epitassia MOCVD può essere lavorato con precisione in forme e geometrie complesse per ottimizzare la dinamica del flusso di gas e l'uniformità della temperatura all'interno del reattore MOCVD. Questa capacità di progettazione personalizzata consente il riscaldamento uniforme dei wafer del substrato, riducendo al minimo le variazioni di temperatura che possono portare a una crescita epitassiale e a prestazioni del dispositivo incoerenti.